2020-03-17
2020-03-09
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).
Moq :
1oblea epitaxial con base de gan (nitruro de galio)
como fabricante de obleas led, ofrecemos obleas led para led y diodos láser (ld), como micro o ultra delgado obleas o investigaciones led uv. es por mocvd con pss o zafiro plano para lcd, móvil, electrónico o ultravioleta (ultravioleta), con emisión azul o verde o roja, que incluye el área activa ingan / gan y capas de algan con barrera gan / algan gan para diferentes tamaños de chip.
gan en al2o3-2 "epi wafer especificación (oblea epitaxial led)
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uv led: 365nm, 405nm |
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blanco : 445 ~ 460 nm |
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azul : 465 ~ 475 nm |
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verde : 510 ~ 530 nm |
1. técnica de crecimiento - mocvd
Diámetro 2.wafer: 50.8mm
Material de sustrato 3.wafer: sustrato de zafiro modelado (al2o3)
Tamaño del patrón 4.wafer: 3x2x1.5μm
Estructura 5.wafer:
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capas de estructura |
espesor (μm) |
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p-gan |
0.2 |
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p-algan |
0.03 |
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ingan / gan (activo zona) |
0.2 |
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n-gan |
2.5 |
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ugan |
3.5 |
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al2o3 (sustrato) |
430 |
Parámetros 6.wafer para hacer chips:
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ít |
color |
tamaño del chip |
características |
apariencia |
u0026 emsp; |
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pam1023a01 |
azul |
10mil x 23mil |
u0026 emsp; |
u0026 emsp; |
iluminación |
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vf = 2.8 ~ 3.4v |
LCD luz de fondo |
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po = 18 ~ 25mw |
móvil accesorios |
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wd = 450 ~ 460nm |
consumidor electrónico |
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pam454501 |
azul |
45mil x 45mil |
vf = 2.8 ~ 3.4v |
u0026 emsp; |
general iluminación |
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po = 250 ~ 300mw |
LCD luz de fondo |
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wd = 450 ~ 460nm |
al aire libre monitor |
* si necesita conocer más información detallada del chip blue led, contáctese con nuestros departamentos de ventas
7. aplicación de oblea epitaixal led:
iluminación
LCD luz de fondo
dispositivos móviles
consumidor de electronicos
Las obleas epitaxiales basadas en gan de pam-xiamen (oblea epi) son para diodos emisores de luz azul y verde de ultra alto brillo (led)
oblea led a base de gaas (arseniuro de galio):
con respecto a la oblea conducida por gaas, se cultivan mediante mocvd, ver debajo de la longitud de onda de la oblea led gaas:
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rojo: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm |
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amarillo: 587 ~ 592nm |
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amarillo verde: 568 ~ 573 |
para estas especificaciones detalladas de waf de gaas led, visite: gaas epi wafer para led
* estructura láser en 2 pulgadas gan (0001) sustrato o sustrato de zafiro está disponible.
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio7
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec
El telururo de cadmio y zinc (cdznte o czt) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva. Se utiliza principalmente en el sustrato de epitaxia de película fina infrarroja, detectores de rayos X y detectores de rayos gamma, modulación óptica láser, alta células solares de rendimiento y otros campos de 7
la oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. están las obleas de grabado de baja rugosidad, baja reflecti7
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