2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
El fosfuro de indio (inp) es un semiconductor binario compuesto de indio y fósforo. tiene una estructura cristalina cúbica ("zinc blende") centrada en la cara, idéntica a la de los gaas y la mayoría de los semiconductores iii-v. El fosfuro de indium se puede preparar a partir de la reacción de fósforo blanco y yoduro de indio [aclaración necesaria] a 400 ° c., [5] también por combinación directa de los elementos purificados a alta temperatura y presión, o por descomposición térmica de una mezcla de un compuesto de trialquil indio y fosfuro. inp se usa en electrónica de alta potencia y alta frecuencia [cita requerida] debido a su velocidad superior de electrones con respecto a los semiconductores más comunes silicio y arseniuro de galio.
| especificación de obleas | |
| ít | presupuesto |
| diámetro de la oblea | 50.5 ± 0.4mm |
| orientación cristal | (100) ± 0.1 ° |
| espesor | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| longitud plana primaria | 16 ± 2 mm |
| longitud plana secundaria | 8 ± 1 mm |
| acabado de la superficie | p / e, p / p |
| paquete | epi-ready, contenedor de oblea individual o cassette cf |
| especificación eléctrica y de dopaje | ||||||
| tipo de conducción | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | p-type | p-type |
| dopante | sin dopar | hierro | estaño | azufre | zinc | bajo en zinc |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| movilidad cm² v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | no especificado | no especificado |
| concentración del transportador cm -3 | ≤ 10 dieciséis | semi-aislante | ( 7-40 ) * 10 17 | ( 1-10 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 1 |
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.
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