Los materiales de carburo de silicio (sic) actualmente se metamorfosean desde la investigación y el desarrollo hasta convertirse en un producto de fabricación impulsado por el mercado. Los sustratos sic se utilizan actualmente como base para una gran fracción de la producción mundial de diodos emisores de luz (leds) verdes, azules y ultravioletas. Los mercados emergentes para la homoepitaxia sic incluyen dispositivos de conmutación de alta potencia y dispositivos de microondas para s y x banda. las aplicaciones para estructuras basadas en gan heteroepitaxial sobre sustratos sic incluyen leds y dispositivos de microondas. Estos resultados emocionantes del dispositivo se derivan principalmente de la explotación de las propiedades eléctricas y termofísicas únicas que ofrece sic en comparación con si y gaas. entre ellos se encuentran: un gran intervalo de banda para operación a alta temperatura y resistencia a la radiación; alto campo de degradación crítica para salida de alta potencia; alta velocidad de electrones saturados para operación de alta frecuencia; conductividad térmica significativamente más alta para el manejo térmico de dispositivos de alta potencia.