ge (germanio) monocristales y obleas

general  estructura de propiedades

cúbico, a =  5.6754 Å

densidad: 5.765  g / cm3

derritiendo  punto: 937.4 oc

térmico  conductividad: 640

crecimiento cristalino  tecnología

czochralski

dopaje  disponible

sin dopar

doblar

dopaje en o  Georgia

tipo conductivo

/

norte

pag

resistividad, ohm.cm

u0026 gt; 35

u0026 lt; 0.05

0.05 - 0.1

epd

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

grado electrónico

usado para diodos  y transistores,

infrarrojo o  grado crítico

utilizado para ir  ventana o discos ópticos, componentes opcionales

grado celular

utilizado para sustratos de  célula solar

cristal  orientación

u0026 lt; 111 u0026 gt;, u0026 lt; 100 u0026 gt;  y u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0.5 ^o o una orientación personalizada

cristal boule como  crecido

1 "~  6 "de diámetro x 200 mm de longitud

estándar en blanco  como corte

1 "x 0.5mm

2 "x0.6 mm

4 "x0.7 mm

5 "y 6" x0.8 mm

estándar  oblea pulida (uno / dos lados pulidos)

1 "x 0.30 mm

2 "x0.5 mm

4 "x0.5 mm

5 "y 6" x0.6 mm

ít

presupuesto

observaciones

método de crecimiento

vgf

tipo de conducción

tipo n, tipo p,  sin dopar

dopante

galio o  antimonio

diámetro de la oblea

2, 3,4 y amp; 6

pulgada

cristal  orientación

(100), (111), (110)

espesor

200 ~ 550

um

de

ej o nosotros

portador  concentración

solicitud sobre  clientes

u0026 emsp;

resistividad en  rt

(0.001 ~ 80)

ohm.cm

Grabar la densidad del hoyo

u0026 lt; 5000

/ cm2

marcado con láser

a pedido

acabado de la superficie

p / e o p / p

epi listo

sí

paquete

oblea individual  contenedor o cassette

u0026 emsp;

Oblea ge de 4 pulgadas  especificación

para células solares

u0026 emsp;

dopaje

pag

u0026 emsp;

dopaje  sustancias

ge-ga

u0026 emsp;

diámetro

100 ± 0.25  mm

u0026 emsp;

orientación

(100) 9 ° de descuento  hacia u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0.5

fuera de orientación  ángulo de inclinación

n / A

u0026 emsp;

piso primario  orientación

n / A

u0026 emsp;

piso primario  longitud

32 ± 1

mm

piso secundario  orientación

n / A

u0026 emsp;

piso secundario  longitud

n / A

mm

cc

(0.26-2.24) e18

/c.c

resistividad

(0,74-2,81) e-2

ohm.cm

electrón  movilidad

382-865

cm2 / v.s.

epd

u0026 lt; 300

/ cm2

marca láser

n / A

u0026 emsp;

espesor

175 ± 10

μm

ttv

u003c 15

μm

tir

n / A

μm

arco

u0026 lt; 10

μm

deformación

u003c 10

μm

cara frontal

pulido

u0026 emsp;

cara posterior

suelo

u0026 emsp;