sobre nosotros

antes de 1990, somos declarados centro de investigación de física de materia condensada. en 1990, el centro lanzó Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), ahora es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China.

PAM-XIAMEN desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materiales de semiconductores de tipo n dopados con iii-v basados en ga, al, in, as yp crecido por mbe o mocvd, a la tercera generación: carburo de silicio y nitruro de galio para la aplicación de dispositivos LED y de alimentación.

la calidad es nuestra primera prioridad. PAM-XIAMEN ha recibido el certificado iso9001: 2008 y ha recibido honores de la administración general china de supervisión de calidad, inspección y cuarentena. poseemos y compartimos cuatro fábricas modernas, que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes.

historia de PAM-XIAMEN

^{antes de} 1990

somos declarados poseído centro de investigación de física de materia condensada

^año 1990

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) fundado. PAM-XIAMEN desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores.

^año 2001

PAM-XIAMEN ha establecido una línea de producción de materiales semiconductores-material de germanio y obleas.

^año 2004

PAM-XIAMEN lanzó investigación y desarrollo de material de carburo de silicio. después de tres años, la compañía estableció una línea de producción para fabricar sustrato de carburo de silicio de polytype 4h y 6h en diferentes grados de calidad para investigadores y fabricantes, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos.

^año 2007

PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica sustratos de semiconductores compuestos-material de arseniuro de galio, y proporciona servicio de oblea epi.

^año 2009

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación de material de nitruro de galio junto con obleas epitaxiales.

^año 2011

comercial cdznte material están en producción en masa, que es un nuevo semiconductor, que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva, se utiliza principalmente en infrarrojos thin-film epitaxy sustrato, rayos X y detección de rayos-γ, láser de la modulación óptica, alta células solares de rendimiento y otro campo de alta tecnología.

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