sobre nosotros

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antes de 1990, somos declarados centro de investigación de física de materia condensada. en 1990, el centro lanzó Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), ahora es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China.


PAM-XIAMEN desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materiales de semiconductores de tipo n dopados con iii-v basados en ga, al, in, as yp crecido por mbe o mocvd, a la tercera generación: carburo de silicio y nitruro de galio para la aplicación de dispositivos LED y de alimentación.


la calidad es nuestra primera prioridad. PAM-XIAMEN ha recibido el certificado iso9001: 2008 y ha recibido honores de la administración general china de supervisión de calidad, inspección y cuarentena. poseemos y compartimos cuatro fábricas modernas, que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes.



historia de PAM-XIAMEN


antes de 1990


somos declarados poseído centro de investigación de física de materia condensada


año 1990


Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) fundado. PAM-XIAMEN desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores.


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año 2001


PAM-XIAMEN ha establecido una línea de producción de materiales semiconductores-material de germanio y obleas.


año 2004


PAM-XIAMEN lanzó investigación y desarrollo de material de carburo de silicio. después de tres años, la compañía estableció una línea de producción para fabricar sustrato de carburo de silicio de polytype 4h y 6h en diferentes grados de calidad para investigadores y fabricantes, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos.


año 2007


PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica sustratos de semiconductores compuestos-material de arseniuro de galio, y proporciona servicio de oblea epi.


año 2009


PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación de material de nitruro de galio junto con obleas epitaxiales.


año 2011


comercial cdznte material están en producción en masa, que es un nuevo semiconductor, que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva, se utiliza principalmente en infrarrojos thin-film epitaxy sustrato, rayos X y detección de rayos-γ, láser de la modulación óptica, alta células solares de rendimiento y otro campo de alta tecnología.




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