2020-03-17
2020-03-09
Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-50% más cortos y capas de dispositivo epitaxial de mayor calidad, con mejor calidad estructural y mayor conductividad térmica, lo que puede mejorar los dispositivos en costo, rendimiento y rendimiento.
Moq :
1plantillas de gan (nitruro de galio)
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-50% más cortos y capas de dispositivo epitaxial de mayor calidad, con mejor calidad estructural y mayor conductividad térmica, lo que puede mejorar los dispositivos en cuanto a costo, rendimiento y rendimiento.
Epitaxia de plantillas gan de 2 "sobre substratos de zafiro
|
ít |
pam-2inch-gant-n |
pam-2inch-gant-si |
|
|
conducción tipo |
tipo n |
semi-aislante |
|
|
dopante |
si dopado o sin dopar |
dopado |
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tamaño |
2 "(50 mm) dia. |
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espesor |
4um, 20um, 30um, 50um, 100um |
30um, 90um |
|
|
orientación |
eje c (0001) +/- 1 o |
||
|
resistividad (300k) |
u0026 lt; 0.05Ω · cm |
u0026 gt; 1x10 6 Ω · cm |
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dislocación densidad |
u0026 lt; 1x10 8 cm-2 |
||
|
substrato estructura |
gan en zafiro (0001) |
||
|
acabado de la superficie |
soltero o doble lado pulido, epi-listo |
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|
área utilizable |
≥ 90% |
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Epitaxia de plantillas gan de 2 "sobre substratos de zafiro
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ít |
pam-gant-p |
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conducción tipo |
p-type |
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dopante |
mg dopado |
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tamaño |
2 "(50 mm) dia. |
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espesor |
5um, 20um, 30um, 50um, 100um |
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orientación |
eje c (0001) +/- 1 o |
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resistividad (300k) |
u0026 lt; 1Ω · cm o personalizado |
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dopante concentración |
1e17 (cm-3) o personalizado |
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substrato estructura |
gan en zafiro (0001) |
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acabado de la superficie |
soltero o doble lado pulido, epi-listo |
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área utilizable |
≥ 90% |
Epitaxia de plantillas gan de 3 "sobre substratos de zafiro
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ít |
pam-3inch-gant-n |
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conducción tipo |
tipo n |
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dopante |
si dopado o sin dopar |
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exclusión zona: |
5 mm desde el exterior diámetro |
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espesor: |
20um, 30um |
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dislocación densidad |
u0026 lt; 1x10 8 cm-2 |
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hoja resistencia (300k): |
u0026 lt; 0.05Ω · cm |
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|
sustrato: |
zafiro |
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orientación: |
avión c |
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zafiro espesor: |
430um |
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pulido: |
De un solo lado pulido, epi-ready, con pasos atómicos. |
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|
trasero revestimiento: |
(personalizado) alto recubrimiento de titanio de calidad, espesor u0026 gt; 0.4 μm |
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embalaje: |
individualmente embalado bajo atmósfera de argón sellado al vacío en clase 100 sala limpia. |
Epitaxia de plantillas gan de 3 "sobre substratos de zafiro
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ít |
pam-3inch-gant-si |
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conducción tipo |
semi-aislante |
|
|
dopante |
dopado |
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|
exclusión zona: |
5 mm desde el exterior diámetro |
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espesor: |
20um, 30um, 90um (20um es la mejor) |
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dislocación densidad |
u0026 lt; 1x10 8 cm-2 |
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|
hoja resistencia (300k): |
u0026 gt; 10 6 ohm.cm |
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sustrato: |
zafiro |
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|
orientación: |
avión c |
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|
zafiro espesor: |
430um |
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|
pulido: |
De un solo lado pulido, epi-ready, con pasos atómicos. |
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|
trasero revestimiento: |
(personalizado) alto recubrimiento de titanio de calidad, espesor u0026 gt; 0.4 μm |
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|
embalaje: |
individualmente embalado bajo atmósfera de argón sellado al vacío en clase 100 sala limpia. |
Plantillas de 4 "gan epitaxiales en substratos de zafiro
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ít |
pam-4inch-gant-n |
|
conducción tipo |
tipo n |
|
dopante |
sin dopar |
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espesor: |
4um |
|
dislocación densidad |
u0026 lt; 1x108cm-2 |
|
hoja resistencia (300k): |
u0026 lt; 0.05Ω · cm |
|
sustrato: |
zafiro |
|
orientación: |
avión c |
|
zafiro espesor: |
- |
|
pulido: |
De un solo lado pulido, epi-ready, con pasos atómicos. |
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embalaje: |
individualmente embalado bajo atmósfera de argón sellado al vacío en clase 100 sala limpia. |
2 "algan, ingan, aln epitaxy en plantillas de zafiro: personalizado
2 "aln epitaxy en plantillas de zafiro
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ít |
pam-alnt-si |
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|
conducción tipo |
semi-aislante |
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diámetro |
Ф 50.8mm ± 1mm |
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|
espesor: |
1000nm +/- 10% |
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|
sustrato: |
zafiro |
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|
orientación: |
eje c (0001) +/- 1 o |
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|
orientación plano |
Un avion |
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|
xrd fwhm de (0002) |
u0026 lt; 200 arcsec. |
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utilizable área de superficie |
≥90% |
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pulido: |
ninguna |
2 "epitaxis ingan en plantillas de zafiro
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ít |
pam-ingan |
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|
conducción tipo |
- |
|
|
diámetro |
Ф 50.8mm ± 1mm |
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|
espesor: |
100-200 nm, personalizado |
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|
sustrato: |
zafiro |
|
|
orientación: |
eje c (0001) +/- 1 o |
|
|
dopante |
en |
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dislocación densidad |
~ 10 8 cm-2 |
|
|
utilizable área de superficie |
≥90% |
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acabado de la superficie |
soltero o doble lado pulido, epi-listo |
2 "epitaxy algan en plantillas de zafiro
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ít |
pam-alnt-si |
|
|
conducción tipo |
semi-aislante |
|
|
diámetro |
Ф 50.8mm ± 1mm |
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|
espesor: |
1000nm +/- 10% |
|
|
sustrato: |
zafiro |
|
|
orientación: |
avión c |
|
|
orientación plano |
Un avion |
|
|
xrd fwhm de (0002) |
u0026 lt; 200 arcsec. |
|
|
utilizable área de superficie |
≥90% |
|
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pulido: |
ninguna |
2 "gan en sustrato sic 4h o 6h
|
1) gan desdoptado buffer o aln buffer están disponibles; |
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2) tipo n (si dopado o no dopado), capas ep epitaxiales gandas tipo p o semi-aislantes disponibles; |
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3) vertical estructuras conductoras en n-type sic; |
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4) algan - Grosor de 20-60 nm, (20% -30% al), tampón dopado; |
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5) gan n-type capa en una oblea de 2 "de 330μm +/- 25um de grosor. |
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6) soltero o doble lado pulido, epi-listo, ra u0026 lt; 0.5um |
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7) típico valor en xrd: |
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id de la oblea |
identificación del sustrato |
xrd (102) |
xrd (002) |
espesor |
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# 2153 |
x-70105033 (con aln) |
298 |
167 |
679um |
2 "gan en sustrato de silicio
|
1) capa de gan espesor: 50nm-4um; |
|
2) n tipo o gan semi-aislante están disponibles; |
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3) solo o doble lado pulido, epi-listo, ra u0026 lt; 0.5um |
proceso de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe)
crecido por el proceso y la tecnología del hvpe para la producción de semiconductores compuestos tales como gan, aln, y algan. se utilizan en una amplia gama de aplicaciones: iluminación de estado sólido, optoelectrónica de longitud de onda corta y dispositivo de potencia RF.
en el proceso de hvpe, los nitruros del grupo iii (como gan, aln) se forman haciendo reaccionar cloruros de metales gaseosos calientes (como gacl o alcl) con gas de amoníaco (nh3). los cloruros metálicos se generan haciendo pasar gas hcl caliente sobre los metales calientes del grupo iii. todas las reacciones se realizan en un horno de cuarzo con temperatura controlada.
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .
pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor
El telururo de cadmio y zinc (cdznte o czt) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva. Se utiliza principalmente en el sustrato de epitaxia de película fina infrarroja, detectores de rayos X y detectores de rayos gamma, modulación óptica láser, alta células solares de rendimiento y otros campos de 7
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
