2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
Moq :
1xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
el antimonide del indio (insb) es un compuesto cristalino hecho de los elementos indio (in) y antimonio (sb). es un material semiconductor de espacio angosto del grupo iii-v utilizado en los detectores de infrarrojos, incluidas las cámaras de imagen térmica, los sistemas flir, los sistemas de guía de misiles de orientación infrarroja y la astronomía infrarroja. los detectores de antimoniuro de indio son sensibles entre 1-5 μm de longitudes de onda. el antimoniuro de indio era un detector muy común en los viejos sistemas de imágenes térmicas escaneadas mecánicamente con un solo detector. otra aplicación es como una fuente de radiación de terahercios ya que es un fuerte emisor de foto-dember.
| especificación de obleas | |
| ít | presupuesto |
| diámetro de la oblea | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm |
| orientación cristal | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| espesor | 2 "625 ± 25um 3 "800or900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| longitud plana primaria | 2 "16 ± 2 mm 3 "22 ± 2 mm 4 "32.5 ± 2.5 mm |
| longitud plana secundaria | 2 "8 ± 1 mm 3 "11 ± 1 mm 4 "18 ± 1 mm |
| acabado de la superficie | p / e, p / p |
| paquete | epi-ready, contenedor de oblea individual o cassette cf |
| especificación eléctrica y de dopaje | |||||
| tipo de conducción | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | p-type |
| dopante | sin dopar | telurio | bajo telurio | alto telurio | Genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| movilidad cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2.5 * 10 4 | ≥ 2.5 * 105 | no especificado | 8000-4000 |
| concentración del transportador cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) * 10 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración7
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7
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luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
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