2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
el antimonide del indio (insb) es un compuesto cristalino hecho de los elementos indio (in) y antimonio (sb). es un material semiconductor de espacio angosto del grupo iii-v utilizado en los detectores de infrarrojos, incluidas las cámaras de imagen térmica, los sistemas flir, los sistemas de guía de misiles de orientación infrarroja y la astronomía infrarroja. los detectores de antimoniuro de indio son sensibles entre 1-5 μm de longitudes de onda. el antimoniuro de indio era un detector muy común en los viejos sistemas de imágenes térmicas escaneadas mecánicamente con un solo detector. otra aplicación es como una fuente de radiación de terahercios ya que es un fuerte emisor de foto-dember.
| especificación de obleas | |
| ít | presupuesto |
| diámetro de la oblea | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm |
| orientación cristal | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| espesor | 2 "625 ± 25um 3 "800or900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| longitud plana primaria | 2 "16 ± 2 mm 3 "22 ± 2 mm 4 "32.5 ± 2.5 mm |
| longitud plana secundaria | 2 "8 ± 1 mm 3 "11 ± 1 mm 4 "18 ± 1 mm |
| acabado de la superficie | p / e, p / p |
| paquete | epi-ready, contenedor de oblea individual o cassette cf |
| especificación eléctrica y de dopaje | |||||
| tipo de conducción | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | p-type |
| dopante | sin dopar | telurio | bajo telurio | alto telurio | Genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| movilidad cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2.5 * 10 4 | ≥ 2.5 * 105 | no especificado | 8000-4000 |
| concentración del transportador cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) * 10 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio7
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