2020-03-17
2020-03-09
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).
Moq :
1oblea epitaxial con base de gan (nitruro de galio)
como fabricante de obleas led, ofrecemos obleas led para led y diodos láser (ld), como micro o ultra delgado obleas o investigaciones led uv. es por mocvd con pss o zafiro plano para lcd, móvil, electrónico o ultravioleta (ultravioleta), con emisión azul o verde o roja, que incluye el área activa ingan / gan y capas de algan con barrera gan / algan gan para diferentes tamaños de chip.
gan en al2o3-2 "epi wafer especificación (oblea epitaxial led)
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uv led: 365nm, 405nm |
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blanco : 445 ~ 460 nm |
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azul : 465 ~ 475 nm |
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verde : 510 ~ 530 nm |
1. técnica de crecimiento - mocvd
Diámetro 2.wafer: 50.8mm
Material de sustrato 3.wafer: sustrato de zafiro modelado (al2o3)
Tamaño del patrón 4.wafer: 3x2x1.5μm
Estructura 5.wafer:
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capas de estructura |
espesor (μm) |
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p-gan |
0.2 |
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p-algan |
0.03 |
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ingan / gan (activo zona) |
0.2 |
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n-gan |
2.5 |
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ugan |
3.5 |
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al2o3 (sustrato) |
430 |
Parámetros 6.wafer para hacer chips:
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ít |
color |
tamaño del chip |
características |
apariencia |
u0026 emsp; |
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pam1023a01 |
azul |
10mil x 23mil |
u0026 emsp; |
u0026 emsp; |
iluminación |
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vf = 2.8 ~ 3.4v |
LCD luz de fondo |
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po = 18 ~ 25mw |
móvil accesorios |
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wd = 450 ~ 460nm |
consumidor electrónico |
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pam454501 |
azul |
45mil x 45mil |
vf = 2.8 ~ 3.4v |
u0026 emsp; |
general iluminación |
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po = 250 ~ 300mw |
LCD luz de fondo |
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wd = 450 ~ 460nm |
al aire libre monitor |
* si necesita conocer más información detallada del chip blue led, contáctese con nuestros departamentos de ventas
7. aplicación de oblea epitaixal led:
iluminación
LCD luz de fondo
dispositivos móviles
consumidor de electronicos
Las obleas epitaxiales basadas en gan de pam-xiamen (oblea epi) son para diodos emisores de luz azul y verde de ultra alto brillo (led)
oblea led a base de gaas (arseniuro de galio):
con respecto a la oblea conducida por gaas, se cultivan mediante mocvd, ver debajo de la longitud de onda de la oblea led gaas:
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rojo: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm |
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amarillo: 587 ~ 592nm |
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amarillo verde: 568 ~ 573 |
para estas especificaciones detalladas de waf de gaas led, visite: gaas epi wafer para led
* estructura láser en 2 pulgadas gan (0001) sustrato o sustrato de zafiro está disponible.
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .
pam-xiamen ofrece fotomáscaras una máscara fotográfica es una fina capa de material de enmascaramiento sostenida por un sustrato más grueso, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diversos grados y se puede modelar con un diseño personalizado. el patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotoli7
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .
pam-xiamen proporciona detectores basados en czt mediante tecnología de detector de estado sólido para rayos X o rayos gamma, que tiene una mejor resolución de energía en comparación con el detector basado en cristales de centelleo, incluyendo el detector czt planar, el detector czt pixilated, czt co-planar gri
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
