El carburo de silicio se encuentra en muchas estructuras cristalinas diferentes, llamadas politipos. un más completo

introducción a cristalografía sic y politipo se puede encontrar en la referencia 9. a pesar del hecho de que

todos los politipos sic consisten químicamente en 50% de átomos de carbono unidos covalentemente con 50% de átomos de silicio,

cada politipo sic tiene su propio conjunto distinto de propiedades semiconductoras eléctricas. mientras hay más

100 polytypes conocidos de sic, solamente algunos se crecen comúnmente en una forma reproducible aceptable para el uso

como un semiconductor electrónico. los politipos más comunes de sic que se están desarrollando actualmente para

Los componentes electrónicos son 3c-sic, 4h-sic y 6h-sic. la estructura cristalina atómica de los dos más comunes

polytypes se muestra en la sección transversal esquemática en la figura 5.1. como se discutió mucho más a fondo en

referencias 9 y 10, los diferentes politipos de sic están compuestos de diferentes secuencias de apilamiento

de bicapas si-c (también llamadas capas dobles si-c), donde cada bicapa simple si-c se denota por el punteado

cuadros en la figura 5.1. cada átomo dentro de una bicapa tiene tres enlaces químicos covalentes con otros átomos en

la misma (su propia) bicapa, y solo un enlace a un átomo en una bicapa adyacente. la figura 5.1a muestra el

bicapa de la secuencia de apilamiento del politipo 4h-sic, que requiere cuatro bicapas si-c para definir la unidad

distancia de repetición de célula a lo largo de la dirección de apilamiento del eje c (indicada por índices de miliar). similar,

el politotipo 6h-sic ilustrado en la figura 5.1b repite su secuencia de apilamiento cada seis bicapas en todo

el cristal a lo largo de la dirección de apilamiento. el

La dirección representada en la figura 5.1 a menudo se conoce como una de

(junto con ) las direcciones del eje a.

sic es un semiconductor polar en el eje c, en esa superficie

normal al eje c termina con átomos de silicio mientras que la superficie opuesta normal del eje c

se termina con átomos de carbono. como se muestra en la figura 5.1a, estas superficies se conocen típicamente como

Superficies de \"cara de silicio\" y \"cara de carbono\", respectivamente. átomos a lo largo del borde izquierdo o derecho de la figura 5.1a

residiría en la superficie del cristal \"a-face\"

plano normal a la dirección. 3c-sic,

también conocido como β-sic, es la única forma de sic con una estructura de red cristalina cúbica. los politipos no cúbicos de

sic a veces se denomina ambiguamente como α-sic. 4h-sic y 6h-sic son solo dos de los muchos.

figura 5.1 representaciones esquemáticas de cortes transversales de (a) estructura cristalina atómica 4h-sic y (b) 6h-sic, mostrando

importantes direcciones y superficies cristalográficas.

posibles politipos sic con estructura de cristal hexagonal. Del mismo modo, 15r-sic es el más común de los

muchos posibles politipos sic con una estructura de cristal romboédrica.