como se discutió en la sección 4, 4h y 6h-sic son las formas muy superiores de calidad de dispositivo de semiconductor comercialmente disponibles en forma de oblea producida en serie. por lo tanto, solo los métodos de procesamiento de dispositivos de 4h y 6h-sic se considerarán explícitamente en el resto de esta sección. Sin embargo, se debe tener en cuenta que la mayoría de los métodos de procesamiento discutidos en esta sección son aplicables a otros politipos de sic, excepto en el caso de una capa 3c-sic que aún reside en un sustrato de silicio, donde se deben mantener todas las temperaturas de procesamiento. muy por debajo de la temperatura de fusión del silicio (~ 1400 ° c). generalmente se acepta que la movilidad de portadora sustancialmente más alta de 4h-sic y las energías de ionización dopante más bajas en comparación con 6h-sic (tabla 5.1) deberían ser el tipo de elección para la mayoría de los dispositivos electrónicos sic, siempre que el resto del procesamiento, rendimiento y costo del dispositivo los problemas relacionados parecen ser aproximadamente iguales entre los dos politipos. además, la anisotropía de movilidad inherente que degrada la conducción paralela al eje c cristalográfico en 6h-sic favorece particularmente a 4h-sic para configuraciones de dispositivo de potencia vertical (sección 5.6.4). debido a que la energía de ionización de los dopantes aceptores de tipo p es significativamente más profunda que para los donantes de tipo n, se puede obtener una conductividad mucho más alta para los sustratos s de tipo n que para los sustratos de tipo p.