2020-03-17
2020-03-09
Después de una breve revisión de los avances en los sustratos de GaN mediante el método amonotérmico y el método de flujo de Na y la tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), los resultados de nuestra investigación del crecimiento de la capa gruesa de GaN mediante un HVPE modulado por flujo de gas, eliminando la capa de GaN a través de un Se presenta el proceso eficiente de autoseparación del sustrato de zafiro y la modificación de la uniformidad del crecimiento de múltiples obleas. También se analizan los efectos de la morfología de la superficie y los comportamientos de los defectos en el crecimiento homoepitaxial de GaN en sustratos independientes, seguidos de los avances de los LED en sustratos de GaN y las perspectivas de sus aplicaciones en iluminación de estado sólido. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las películas de carbono amorfo dopadas con Co (aC:Co), depositadas por láser pulsado, muestran características de contacto pn y óhmico con GaAs de baja resistividad (L-GaAs) de tipo n y GaAs de alta resistividad semiaislados (S-GaAs). La fotosensibilidad aumenta para aC:Co/L-GaAs, mientras que la inversa disminuye para la heterounión aC:Co/S-GaAs, respectivamente. Además, la fotosensibilidad mejorada para la heterounión aC:Co/L-GaAs/Ag también muestra un comportamiento de dependencia de la temperatura de deposición, y la temperatura de deposición óptima es de alrededor de 500 °C. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Hemos producido y caracterizado con éxito películas finas de Ge monocristalino sobre sustratos de zafiro (GeOS). Una plantilla GeOS de este tipo ofrece una alternativa rentable a los sustratos de germanio a granel para aplicaciones en las que solo se necesita una capa delgada (<2 µm) de Ge para el funcionamiento del dispositivo. Las plantillas de GeOS se han realizado utilizando la técnica Smart CutTM. Se han fabricado y caracterizado plantillas GeOS de 100 mm de diámetro para comparar la película delgada Gepropiedades con Ge a granel. Se realizaron inspección de defectos superficiales, SEM, AFM, grabado de defectos, XRD y espectroscopia Raman. Los resultados obtenidos para cada técnica de caracterización utilizada han puesto de manifiesto que las propiedades materiales de la película fina de Ge transferida eran muy parecidas a las de una referencia de Ge a granel. Se cultivó una doble heteroestructura epitaxial AlGaInP/GaInP/AlGaInP sobre la plantilla de GeOS para demostrar la estabilidad de la plantilla en las condiciones encontradas en la realización típica de un dispositivo. El comportamiento fotoluminiscente de esta estructura epitaxial fue casi idéntico al de una estructura similar cultivada en un sustrato de Ge a granel. Por lo tanto, las plantillas de GeOS ofrecen una alternativa viable a los sustratos de Ge a granel en la fabricación de dispositivos cuyo funcionamiento es compatible con una estructura de película delgada. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las características de absorción y refracción no lineales dependientes de la intensidad de las películas delgadas cristalinas de InSbse investigan mediante el método z-scan a una longitud de onda láser de 405 nm. Los resultados muestran que el coeficiente de absorción no lineal de las películas delgadas de InSb cristalino es del orden de ~ + 10−2 m W−1, y el índice de refracción no lineal es del orden de ~ + 10−9 m2 W−1. Se emplean mediciones de espectroscopia elipsométrica de temperatura variable y análisis de procesos electrónicos, así como cálculos teóricos, para discutir los mecanismos internos responsables de la no linealidad óptica gigante. Los resultados del análisis indican que la absorción no lineal se debe principalmente al efecto de absorción de portador libre inducido por láser, mientras que la refracción no lineal se debe principalmente al efecto térmico debido a la reducción de la brecha de banda y al efecto portador debido al proceso de transición de electrones, respectivamente. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Este artículo propone un rectificador Schottky (JBSR) de barrera de unión 4H-SiC de doble epi-capa con una capa de P incrustada (EPL) en la región de deriva. La estructura se caracteriza por la capa tipo Pformado en la capa de deriva de tipo n por un proceso de sobrecrecimiento epitaxial. El campo eléctrico y la distribución de potencial cambian debido a la capa P enterrada, lo que da como resultado un alto voltaje de ruptura (BV) y una baja resistencia específica (Ron,sp). Las influencias de los parámetros del dispositivo, como la profundidad de las regiones P+ incrustadas, el espacio entre ellas y la concentración de dopaje de la región de deriva, etc., en BV y Ron,sp, se investigan mediante simulaciones, lo que proporciona una guía particularmente útil para el diseño óptimo del dispositivo. Los resultados indican que BV aumenta en un 48,5 % y la cifra de mérito de Baliga (BFOM) aumenta en un 67,9 % en comparación con un JBSR 4H–SiC convencional. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
En un intento de lograr una heterointerfaz InP-Si , se estudió un método nuevo y genérico, la técnica de sobrecrecimiento lateral epitaxial corrugado (CELOG) en un reactor de epitaxia en fase de vapor de hidruro. Una capa de semillas InP en Si(0 0 1) se modeló en franjas de mesa grabadas estrechamente espaciadas, revelando la superficie de Si entre ellas. La superficie con las franjas de mesa se parece a una superficie corrugada. La parte superior y las paredes laterales de las franjas de la mesa se cubrieron luego con una máscara de SiO2, después de lo cual se modelaron las aberturas en línea en la parte superior de las franjas de la mesa. El crecimiento de InP se realizó sobre esta superficie ondulada. Se muestra que el crecimiento de InP emerge selectivamente de las aberturas y no en la superficie de silicio expuesta, sino que se propaga lateralmente gradualmente para crear una interfaz directa con el silicio, de ahí el nombre CELOG. Estudiamos el comportamiento de crecimiento utilizando parámetros de crecimiento. El crecimiento lateral está delimitado por planos límite de alto índice de {3 3 1} y {2 1 1}. La disposición atómica de estos planos, Se muestra que la incorporación de dopante dependiente de la orientación cristalográfica y la sobresaturación de la fase gaseosa afectan la extensión del crecimiento lateral. Se logra una relación de tasa de crecimiento lateral a vertical de hasta 3,6. Los estudios de difracción de rayos X confirman una mejora sustancial de la calidad cristalina de CELOG InP en comparación con la capa semilla de InP. Los estudios de microscopía electrónica de transmisión revelan la formación de una heterointerfaz InP-Si directa por CELOG sin dislocaciones de hilos. Si bien se muestra que CELOG evita las dislocaciones que podrían surgir debido al gran desajuste de red (8%) entre InP y Si, se pueden ver fallas de replanteo en la capa. Estos probablemente son creados por la rugosidad de la superficie de Si o la máscara de SiO2 que, a su vez, habría sido una consecuencia de los tratamientos del proceso inicial. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Para evaluar las propiedades de transporte de carga de los cristales de CdZnTe de alta resistividad crecidos dopados con In/Al, se midió la respuesta espectroscópica de partículas α utilizando una fuente radiactiva de 241Am (5,48 MeV) sin colimar a temperatura ambiente. Los productos de la vida útil de la movilidad de los electrones (μτ)e de los cristales de CdZnTe se predijeron mediante gráficos de ajuste de la posición del fotopico frente a la intensidad del campo eléctrico utilizando la ecuación de Hecht de un solo portador. Se empleó una técnica TOF para evaluar la movilidad electrónica de los cristales de CdZnTe. La movilidad se obtuvo ajustando las velocidades de deriva de los electrones en función de las intensidades del campo eléctrico, donde las velocidades de deriva se lograron analizando las distribuciones de tiempo de subida de los pulsos de voltaje formados por un preamplificador. Un detector plano de CdZnTe fabricado basado en un cristal de CdZnTe dopado de baja concentración con (μτ)e = 2,3 × 10−3 cm2/V y μe = 1000 cm2/(V punto ms), respectivamente, exhibe una excelente resolución espectral de rayos γ de 6,4% (FWHM = 3,8 keV) para un isótopo 241Am @ 59,54 keV no colimado. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Llevamos a cabo el crecimiento de área selectiva de GaN y fabricamos MQW de InGaN/GaN en sustratos de GaN a granel no polares y semipolares mediante MOVPE. Se investigaron las diferencias en las estructuras de GaN y la incorporación de In de InGaN/GaN MQW cultivadas en sustratos de GaN no polares y semipolares . En el caso del crecimiento de área selectiva, se obtuvieron diferentes estructuras de GaN en sustratos de GaN, GaN y GaN.. Apareció un patrón repetitivo de y facetas en GaN. Luego, fabricamos MQW de InGaN/GaN en las estructuras de facetas en GaN. Las propiedades de emisión caracterizadas por la catodoluminiscencia fueron diferentes para y facetas. Por otro lado, para los MQW de InGaN/GaN en sustratos de GaN no polares y semipolares, AFM observó pasos a lo largo del eje a. En particular, en GaN, aparecieron ondulaciones y agrupamiento de ondulaciones. La caracterización de la fotoluminiscencia indicó que la incorporación aumentaba con el ángulo fuera del plano m y también dependía de la polaridad. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
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