2020-03-17
2020-03-09
gracias a la tecnología de unión de túneles gaas, ofrecemos células epóxicas de células solares ingap / gaas de unión única y doble unión, con diferentes estructuras de capas epitaxiales (algaas, ingap) cultivadas en gaas para la aplicación de células solares. Y ahora ofrecemos un epi estructura de la oblea con unión en túnel del ingap de la siguiente manera:
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ar recubrimiento mgf 2 / zns |
au |
contacto frount |
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au-ge / ni / au |
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norte + -gaas 0.3μm |
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┏ |
norte + -alinp 0.03 μm \u0026 lt; 2 × 10 18 cm -3 (si) |
ventana |
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ingap |
norte + -ingap 0.05μm 2.0 × 10 18 cm -3 (si) |
norte |
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(eg = 1.88ev) |
pag + -apilar 0,55 μm 1,5 × 10 17 cm -3 (zn) |
pag |
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célula superior |
pag + -ingap 0.03μm 2.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
pag + |
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┗ |
pag + -alinp 0.03μm \u003c 5 × 10 17 cm -3 (zn) |
bsf, dif.barrier |
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túnel |
pag + -ingap 0.015μm 8.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
tn (p + ) |
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unión |
norte + -ingap 0.015μm 1.0 × 10 19 cm -3 (si) |
tn (n + ) |
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┏ |
norte + -alinp 0.05μm 1.0 × 10 19 cm -3 (si) |
ventana, dif.barrier |
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gaas (eg = 1.43 ev) celda inferior |
norte + -gaas 0.1μm 2.0 × 10 18 cm -3 (si) |
norte |
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p -gaas 3.0μm 1.0 × 10 17 cm -3 (zn) |
pag |
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┗ |
pag + -apuntar 0.1μm 2.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
bsf |
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pag + -gaas 0.3μm 7.0 × 10 18 cm -3 (zn) |
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pag + -sustrato de agua \u003c 1.0 × 10 19 cm -3 (zn) |
substrato |
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au |
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contacto posterior |
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nota: los leds, los láseres y las células solares de múltiples uniones pueden emplear uniones de túnel para mejorar el rendimiento. El cálculo de los efectos de esta unión es complicado, pero hay formas de simular con precisión las características de los chips y optimizar de manera rentable el diseño de la estructura.
fuente: semiconductorwafers.net
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