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En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en sistemas de emisión de luz planas basados ​​en GaN.

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En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en sistemas de emisión de luz planas basados ​​en GaN.

2018-12-18

Examen topográfico y químico de rayos X de Si: Ge cristales solos conteniendo 1.2 en% y 3.0 en% Ge, junto con mediciones precisas de parámetros de red, se realizó. Los contrastes de difracción en forma de "cuasi círculos" concéntricos (estrías), probablemente debido a la distribución no uniforme de los átomos de Ge, se observaron en las topografías de proyección.


Los patrones de grabado revelaron bandas correspondientes a estrías y dislocaciones como pozos de grabado. La región cristalina central del núcleo (sin estriaciones) exhibió una red cristalina fuertemente perturbada por microdefectos, como se concluyó a partir del análisis de la topografía de la sección. Las mediciones de los parámetros de celosía han mostrado la no uniformidad de la distribución de Átomos de ge a través de las muestras.


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