Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para derivar un factor de calibración para la determinación precisa de la tasa de generación de portadora absoluta. Se utilizó un modelo de dominio de frecuencia basado en la naturaleza no lineal de las señales radiométricas de los fotoportadores para extraer imágenes de densidad de dopantes. Se encontró que las variaciones laterales en la resistividad de una oblea de tipo n y tipo p obtenidas por medio de esta metodología estaban en excelente acuerdo con las obtenidas con mediciones de sonda de 4 puntos convencionales. Este método totalmente óptico sin contacto se puede utilizar como una herramienta no destructiva para medir la densidad de dopaje y la resistividad eléctrica y sus imágenes en grandes áreas de semiconductores. Nd,

Fuente:IOPscience

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