se ha evaluado una capa de cobertura de grafito para proteger la superficie de obleas epitaxiales 4h-sic con diseño y selectivamente implantadas durante el recocido posterior a la implantación. La fotoprotección az-5214e se hiló y se coció al vacío a temperaturas que oscilaban entre 750 y 850 ° C para formar un revestimiento continuo en superficies planas y planas grabadas en mesa con características de hasta 2 μm de altura. la conversión completa de la película similar a un polímero hidrogenado en una capa de grafito nanocristalino se verificó por espectroscopía Raman. la capa de cobertura de grafito permaneció intacta y protegió las superficies sic tanto planas como de mesa durante el recocido posterior en ambiente de argón a temperaturas de hasta 1650 ° C durante 30 min. suprimió de forma efectiva el agrupamiento escalonado y la difusión difusa del dopante en las regiones implantadas y simultáneamente aseguró que la superficie no implantada de la oblea epitaxial 4h-sic permaneciera libre de contaminación. Los diodos de barrera schottky formados en las superficies recocidas no implantadas mostraban características casi ideales.

soource: iopscience

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