presentamos un novedoso proceso para integrar germanio con obleas de silicio sobre aislante (soi). el germanio se implanta en soi, que luego se oxida, atrapando el germanio entre las dos capas de óxido (el óxido crecido y el óxido enterrado). con un cuidadoso control de la implantación y las condiciones de oxidación, este proceso crea una capa delgada (experimentos actuales indican hasta 20-30 nm) de germanio casi puro. la capa puede usarse potencialmente para la fabricación de fotodetectores integrados sensibles a longitudes de onda infrarrojas, o puede servir como una semilla para más ger um Mani crecimiento. los resultados se presentan a partir de un análisis por microscopía electrónica y de back-scattering rutherford, así como de un modelo preliminar utilizando una descripción analítica del proceso.

fuente: iopscience

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com