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características de inga (n) cultivadas con mocvd y mbe como vcsels

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características de inga (n) cultivadas con mocvd y mbe como vcsels

2018-06-05

informamos nuestros resultados en inganas / gaas láseres emisores de superficie de cavidad vertical (vcsels) en el rango de 1.3 μm. las estructuras epitaxiales se cultivaron sobre (1 0 0) substratos de gaas mediante deposición de vapor químico metalorgánico (mocvd) o epitaxia de haz molecular (mbe). la composición de nitrógeno de la inga (n) as / gaas la región activa de pozo cuántico (qw) es 0-0.02. la operación de láser de onda continua de temperatura ambiente (rtww) de longitud de onda larga (hasta 1,3 μm) se logró para vcsels cultivados en mbe y en módems. para los dispositivos crecidos con mocvd con reflectores de Bragg distribuidos dopados en nyp (dbrs), se midió una potencia de salida óptica máxima de 0.74 mw para 0,36 ga0.64n0.006as0.994 / gaas vcsels. se obtuvo una jth muy baja de 2.55 ka cm-2 para las inganas / gaas vcsels. los dispositivos crecidos mbe se hicieron con una estructura intracavidad. multimodo de emisión superior 1.3 μm in0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas vcsels con 1 mw de potencia de salida se han logrado bajo la operación de rt cw. se ha obtenido una jth de 1.52 ka cm-2 para el mbe-grown in0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas vcsels, que es la densidad de umbral más baja registrada. las características de emisión de los inganas / gaas vcsels se midieron y analizaron.


fuente: iopscience


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