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propiedades eléctricas y estructurales de las películas de Gan y diodos emisores de luz ganados / ingan crecidos en plantillas gan gangosas fabricadas por combinación de grabado electroquímico y fotoelectroquímico

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propiedades eléctricas y estructurales de las películas de Gan y diodos emisores de luz ganados / ingan crecidos en plantillas gan gangosas fabricadas por combinación de grabado electroquímico y fotoelectroquímico

2017-11-03

reflejos

• la plantilla de gan porosa se preparó mediante un esquema de grabado electroquímico y fotoelectroquímico.

• la estructura del diodo emisor de luz ingan / gan (led) estaba sobrecrecida en la plantilla del gancho grabado.

• las películas y los leds ganados demasiado grandes mostraron una menor tensión y una menor densidad de defectos superficiales.

• las estructuras llevadas sobredimensionadas mostraron una eficiencia de electroluminiscencia mejorada.


las plantillas de gan porosas se prepararon mediante un grabado electroquímico combinado (ece) y un grabado fotoelectroquímico (pece) en el lado posterior, seguido del crecimiento excesivo de las películas de gan y las estructuras de diodos emisores de luz (LED) múltiples pozo cuántico (mqw) ingan / gan. se estudiaron las propiedades estructurales, luminiscentes y eléctricas de las estructuras gan y led y se compararon con las propiedades de las estructuras cultivadas bajo las mismas condiciones en plantillas no sometidas a tratamiento de ece-pece. El crecimiento excesivo de estructuras led en las plantillas ece-pece redujo la deformación, el agrietamiento y las micropiezas, lo que aumenta la eficacia cuántica interna y la eficiencia de extracción de la luz. esta potenciación de la luminiscencia se observó en las películas de gan gruesas, pero fue más pronunciada para las estructuras con ingan / gan debido a la supresión del campo de polarización piezoeléctrica en qws.

palabras clave

grabado electroquímico; grabado foto electroquímico; gan poroso; la luz emite diodos


fuente: sciencedirect


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