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crecimiento epitaxial de la baja densidad de la dislocación del enhebrado en gaas utilizando la dislocación inadaptada interfacial periódica autoensamblada

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crecimiento epitaxial de la baja densidad de la dislocación del enhebrado en gaas utilizando la dislocación inadaptada interfacial periódica autoensamblada

2017-12-05

reflejos

• insb de alta calidad se cultivó en gaas por mbe usando un método \"sin buffer\".

• la energía de deformación se alivia mediante dislocaciones inadaptables interfaciales observadas por tem.

• el tipo y la separación de las dislocaciones son consistentes con la predicción teórica.

• La película insb está 98.9% relajada y posee superficie con una rugosidad de 1.1 nm.

• La película insb muestra una movilidad de electrones a temperatura ambiente de 33,840 cm2 / v


informamos una capa insb de baja densidad de dislocación de subprocesamiento totalmente relajada crecida en un sustrato de gaas utilizando dislocaciones de desajuste interfacial periódicas autoensambladas. la capa insb se cultivó a 310 ° C mediante epitaxia de haz molecular. la medición afm exhibió una rugosidad cuadrática media (r.m.s.) de 1,1 nm. Los resultados del escaneo ω-2θ a partir de la medición de difracción de rayos X indicaron que la capa del aislante está 98.9% relajada. las imágenes de la medición del microscopio electrónico de transmisión mostraron una densidad de dislocación por roscado de 1,38 × 108 cm-2. también se observó la formación de un arreglo de dislocación inadaptable interfacial altamente uniforme y la separación de las dislocaciones es consistente con el cálculo teórico. la capa insb exhibió una movilidad de electrones a temperatura ambiente de 33,840 cm2 / v.


palabras clave

Peliculas delgadas; crecimiento epitaxial; tem; estructural; semiconductores; oblea gaas, oblea insb


fuente: sciencedirect


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