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oblea epitaxial

2017-05-20

gracias a la tecnología mocvd y mbe, pam-xiamen, un proveedor de obleas epitaxiales, ofrece productos de obleas epitaxiales, que incluyen oblea epitaxial gan, oblea epitaxial gaas, oblea epitaxial sic, oblea epitaxial inp, y ahora damos una breve introducción de la siguiente manera:




1) crecimiento epitaxial gan en plantilla de zafiro;

tipo de conducción: si dopado (n +)

espesor: 4um, 20um, 30um, 50um, 100um

orientación: eje c (0001) ± 1.0 °

resistividad: \u0026 lt; 0.05 ohm.cm

densidad de dislocación: \u0026 lt; 1x108cm-2

estructura del sustrato: gan on zafiro (0001)

acabado de la superficie frontal (ga-face): crecido

acabado de la superficie posterior: ssp o dsp

área utilizable: ≥ 90%

tamaños disponibles: 2 \"(50.8 mm), 3\" (76.2 mm) y 4 \"(100 mm)

grados disponibles: producción, investigación y jinete


2) aln crecimiento epitaxial en plantilla de zafiro;

tipo de conducción: semi-aislante

espesor: 50-1000nm +/- 10%

orientación: eje c (0001) +/- 1o

orientación plana: a-plane

xrd fwhm de (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

estructura del sustrato: aln en zafiro

acabado de la superficie posterior: ssp o dsp, epi-ready

área utilizable: ≥ 90%

tamaños disponibles: 2 \"(50.8 mm),

grados disponibles: producción, investigación y jinete


3) crecimiento epitaxial algan en zafiro, incluida la estructura del talón;

tipo de conducción: semi-aislante

espesor: 50-1000nm +/- 10%

orientación: eje c (0001) +/- 1o

orientación plana: a-plane

xrd fwhm de (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

estructura del sustrato: algan en zafiro

acabado de la superficie posterior: ssp o dsp, epi-ready

área utilizable: ≥ 90%

tamaños disponibles: 2 \"(50.8 mm),

grados disponibles: producción, investigación y jinete


4) Capa de lt-gaas epi en sustrato de gaas

diámetro (mm): Ф 50.8mm ± 1mm

espesor: 1-2um o 2-3um

densidad del defecto del marco: ≤ 5 cm-2

resistividad (300k): \u0026 gt; 108 ohm-cm

portador: \u003c0.5ps

densidad de dislocación: \u0026 lt; 1x106cm-2

superficie utilizable: ≥80%

pulido: lado único pulido

sustrato: sustrato de gaas


5) obleas epitaxiales del diodo Schottky del gaas

estructura epitaxial

no.

material

composición

objetivo de espesor (um)

espesor tol.

c / c (cm 3 ) objetivo

c / c tol.

dopante

tipo de carrier

4

Gaas

\u0026 emsp;

1

± 10%

\u003e 5.0e18

n / A

si

n ++

3

Gaas

\u0026 emsp;

0.28

± 10%

2.00e + 17

± 10%

si

norte

2

Georgia 1-x Alabama X como

x = 0.50

1

± 10%

-

n / A

-

-

1

Gaas

\u0026 emsp;

0.05

± 10%

-

n / A

-

-

sustrato: 2 '', 3 '', 4 \"



6) gaas hemt epi oblea

1) 4 \"si substratos gaas con orientación [100],

2) superred de [buffer] de al (0.3) ga (0.7) as / gaas con espesores

10/3 nm, repita 170 veces,

3) barrera al (0.3) ga (0.7) como 400 nm,

4) pozo cuántico gaas 20 nm,

5) espaciador al (0.3) ga (0.7) como 15 nm,

6) delta-doping con si para crear una densidad electrónica de 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2),

7) barrera al (0.3) ga (0.7) como 180 nm,

8) capa de capa gaas 15nm.


7) oblea epitaxial inp:

substrato inp:

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

tipo n inp: s

(100) +/- 0.5 °,

edp \u0026 lt; 1e4 / cm2.

un piso pulido, parte trasera mate grabado, semi planos.

capa epi:

epi 1: ingaas: (100)

espesor: 100 nm,

capa de parada de grabado

epi 2: inp: (100)

espesor: 50nm,

capa de unión


8) oblea led azul

p-gan / p-algan / ingan / gan / n-gan / u-gan

p-gan 0.2um

p-algan 0.03um

ingan / gan (área activa) 0.2um

n-gan 2.5um

etch stop 1.0um

ugan (buffer) 3.5um

al2o3 (sustrato) 430um


9) oblea led verde

Sustrato 1.sapphire: 430um

2. capa de buffer: 20nm

3.undoped gan: 2.5um

4.si doped gan 3um

Área de emtting bien de 5.quantum: 200nm

6.electron barrera capa 20nm

7.mg dopado gan 200nm

8. contacto de superficie 10nm


fuente: pam-xiamen


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