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gaas epi wafer para ir led

epitaxia

gaas epi wafer para ir led

2018-05-07

q: actualmente estamos trabajando en un proyecto que necesita una oblea led de gaas. la estructura ideal sería:

(arriba) gaas_n_type / barrier / quantum well / barrier / gaas_p_type / scarified layer / gaas substrate (bottom). Tendríamos que transferir la estructura conducida a otro sustrato mediante un proceso de despegue, y el grosor completo de la estructura conducida (del tipo n al tipo p) debería ser de alrededor de 500 nm. ¿podría avisar si tiene algo que cumpla con nuestros requisitos?


a: gracias por su consulta. algunos de nuestros clientes también compran nuestra estructura para el proceso de despegue, consulte la estructura a continuación

gaas epi oblea para series led / ir

rojo (620 +/- 5nm) 2 \"gaas led oblea

p-gap

p-algainp

mqw-algainp

n-algainp

dbr n-algaas / alas

buffer

substrato de gaas

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