podemos ofrecer 2 \"gainp / inp epi wafer de la siguiente manera:

2 \"gainp epi layer: espesor: 1um, ga: in = 1: 1, capa epi: 1-3um,

substrato del inp: 2 \"tamaño, orientación (100) o (110), n tipo o semi-aislante, grueso: 300-500um, solo lado pulido.

Fosfuro de indio y galio (gainp), es un semiconductor compuesto de indio, galio y fósforo. se utiliza en electrónica de alta potencia y alta frecuencia debido a su velocidad superior de electrones con respecto a los semiconductores más comunes silicio y arseniuro de galio.

se usa principalmente en estructuras de hemt, estructuras de hbt o estructura de mesfet, un material epitaxial gainp de banda alta crecido en inp para aumentar la altura de la barrera schottky del mesfet inp con los materiales de puerta schottky (au y pt2si): ganancia pseudomórfica / inp El mesfet con una puerta au tiene una altura de barrera schottky de 0,54 ev, y la corriente de fuga inversa del dispositivo es 10 -2 veces menor que la del inp mesfet convencional. la transconductancia extrínseca e intrínseca del mesfet pseudomórfico es de 66,7 y 104,2 ms / mm, respectivamente, para la ganancia de ganancia de ganancia de ganancia de 5 μm en el mesfet

gainp también se utiliza para la fabricación de células solares de alta eficiencia utilizadas para aplicaciones espaciales. ga0.5in0.5p se utiliza como unión de alta energía en células fotovoltaicas de doble y triple unión cultivadas en gaas. los últimos años han demostrado que las células solares gainp / gaas en tándem con am0 (incidencia de luz solar en el espacio = 1,35 kw / m2) eficiencias superiores al 25%. una aleación diferente de gainp, celosía combinada con las gainas subyacentes, se utiliza como la unión de alta energía gainp / gainas / ge células fotovoltaicas de triple unión. en combinación con aluminio (aleación algainp) para producir leds de alto brillo con naranja-rojo, naranja, amarillo y verde.

fuente: semiconductorwafers.net

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