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oblea de semiconductor de galio

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oblea de semiconductor de galio

2017-12-21

oblea de semiconductor de galio

substrato de la oblea gaas - arseniuro de galio
cantidad material orientación. diámetro espesor polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte movilidad epd
piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 Gaas -100 25.4 4000 ± 50 dsp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A \u0026 lt; 1e5
1-100 Gaas -100 50.7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 50.7 350 ± 10 ssp (0.8-9) e -3 n / si (8) e17 2000-3000 \u0026 lt; 5000
1-100 Gaas (100) 6 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 50.7 350 ± 20 ssp (0.8-9) × 10 -3 n / si (0.2-4) e18 ≥1000 ≤5000
1-100 Gaas -100 50.8 350 ssp n / A p / zn (1-5) e19 n / A \u0026 lt; 5000
1-100 Gaas -100 50.8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas -100 50.8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas -100 50.8 8000 ± 10 como corte \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas -100 50.8 8000 ± 10 dsp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° 50.8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / si n / A n / A n / A
1-100 Gaas -100 50.8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 n / A (1-5) e19 n / A n / A
1-100 Gaas -100 50.8 350 ± 25 ssp n / A n / A (0.4-3.5) e18 ≥1400 ≤100
1-100 Gaas (100) 0 ° o 2 ° 76.2 130 ± 20 dsp n / A sin dopar n / A n / A \u0026 lt; 10000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 76.2 350 ± 25 ssp n / A n / si (0.4-2.5) e18 n / A ≤5000
1-100 Gaas -100 76.2 350 ± 25 ssp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 Gaas -100 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A ≤8e4 o 1e4
1-100 Gaas -100 76.2 625 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A ≥4500 ≤8e4 o 1e4
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 de descuento hacia (110) 76.2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 100 350 ± 25 ssp n / A n / si (0.4-3.5) e18 n / A ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 de descuento hacia (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e18 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 100 625 ± 25 dsp (1.0-4.0) 1e8 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 100 350 ± 25 ssp n / A n / si (0.4-4) e18 n / A ≤5000
1-100 Gaas (100) 15 ° ± 0,50 de descuento hacia (011) 100 350 ± 25 ssp n / A n / si (0.4-4) e18 n / A ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 dsp n / A n / si (0.4-4) e18 n / A ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas (100) 0 ° ± 3.0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1.0 × 107 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 Gaas -310 50.8 / 76.2 n / A n / A n / A n / A n / A n / A n / A
como proveedor de obleas gaas, ofrecemos la lista de semiconductores de gaas para su referencia, si necesita detalles de precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarlo pronto. *** ofrecemos servicio de epitaxia gaas por mbe y mocvd, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas.

sustrato de la oblea de gasb: antimoniuro de galio
cantidad estera erial Orie ntation. Diam eter thickne ss polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte Movilidad y epd
piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gas (100) ± 0.5 50.8 500 ± 25 ssp n / A te 1e17 - 5e18 n / A \u0026 lt; 1000
1-100 gas (111) a ± 0.5 50.8 500 ± 25 ssp n / A te 1e17 - 5e18 n / A \u0026 lt; 1000
1-100 gas (111) b 50.8 n / A n / A n / A te (5-8) e17 n / A n / A
1-100 gas (111) b 50.8 n / A n / A n / A sin dopar ninguna n / A n / A
1-100 gas (100) ± 0.5 50.8 500 ssp n / A pag/ (1-5) e17cm-3 n / A n / A
1-100 gas (100) ± 0.5 50.8 500 ssp n / A norte/ (1-5) e17cm-3 n / A n / A
1-100 gas (100) ± 0.5 50.8 500 ssp n / A n / te (1-8) e17 / (2-7) e16 n / A \u0026 lt; 1000
1-100 gas -100 50.8 450 ± 25 ssp n / A n / A (1-1.2) e17 n / A n / A
1-100 gas -100 50.8 350 ± 25 ssp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 gas -100 76.8 500-600 n / A n / A sin dopar ninguna n / A n / A
1-100 gas -100 100 800 ± 25 dsp n / A p / zn n / A n / A n / A
1-100 gas -100 100 250 ± 25 n / A n / A p / zno n / A n / A n / A

Como proveedor de obleas de gas, ofrecemos la lista de semiconductores de gas para su referencia, si necesita detalles de precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto.

sustrato de obleas gap- posfide de galio
cantidad material orientar ion. dia metro thickne ss polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte mobil ity epd
piezas (metro metro) (μm) Ω · c metro \u0026 emsp; un/ cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 brecha -111 50 5000 ± 20 ssp n / A norte n / A n / A n / A
1-100 brecha (111) ± 0.5 ° 50 ± 0.5 300 ± 20 n / A n / A s (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5
1-100 brecha (111) ± 0.5 ° 50 ± 0.5 300 ± 20 n / A n / A te (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5

Como proveedor de obleas gap, ofrecemos la lista de semiconductores de hueco para su referencia, si necesita detalles de precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto.




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