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Generación de radiación de frecuencia diferencial en los rangos de IR lejanos y medios en un láser de dos chips basado en arseniuro de galio sobre un sustrato de germanio

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Generación de radiación de frecuencia diferencial en los rangos de IR lejanos y medios en un láser de dos chips basado en arseniuro de galio sobre un sustrato de germanio

2019-02-11

La posibilidad de una generación eficiente de radiación de frecuencia de diferencia en los rangos de IR lejanos y medios en un láser de dos chips basado en arseniuro de galio cultivado en un sustrato de germanio se considera. Se muestra que un láser con una guía de onda de 100 μm de ancho que emite 1 W en el rango cercano al IR puede generar ≈40 μW a la frecuencia de diferencia en la región 5—50 THz a temperatura ambiente.



Fuente: IOPscience


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