2020-03-17
2020-03-09
Se cultivaron estructuras de pozos cuánticos de InAs/Al0.2Ga0.8Sb de alta calidad en sustratos de germanio mediante epitaxia de haz molecular (MBE). Movilidades de electrones de 27.000 cm2/Vs para concentraciones laminares de nS=1,8 × 1012 cm-2 se lograron rutinariamente a temperatura ambiente para estructuras de pozos cuánticos de InAs/Al0.2Ga0.8Sb sin dopar sobre sustratos de germanio. Desarrollamos una tecnología de procesamiento simple para la fabricación de dispositivos magnetorresistivos de Corbino. Se midieron excelentes sensibilidades de corriente de 195 Ω/T y sensibilidades de voltaje de 2,35 T-1 en un campo magnético de 0,15 T para magnetorresistores en forma de Corbino sobre sustrato de germanio a temperatura ambiente. Este rendimiento de detección es comparable al obtenido por sensores idénticos en sustrato de GaAs .
Fuente:IOPscience
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