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Crecimiento de AlN de alta calidad sobre sustrato 6H-SiC utilizando nucleación tridimensional por epitaxia en fase de vapor de hidruro a baja presión

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Crecimiento de AlN de alta calidad sobre sustrato 6H-SiC utilizando nucleación tridimensional por epitaxia en fase de vapor de hidruro a baja presión

2018-11-14

Existe un método para controlar la nucleación y el crecimiento lateral utilizando los modos de crecimiento tridimensional (3D) y bidimensional (2D) para reducir la densidad de dislocación. Realizamos crecimiento 3D – 2D-AlN en Sustratos 6H-SiC para obtener capas de AlN de alta calidad y sin grietas por epitaxia en fase de vapor de hidruro de baja presión (LP-HVPE). Primero, realizamos el crecimiento 3D-AlN directamente en un Sustrato 6H-SiC . Con el aumento de la relación V / III, la densidad de la isla de AlN disminuyó y el tamaño de grano aumentó. En segundo lugar, las capas 3D-2D-AlN se cultivaron directamente en un Sustrato 6H-SiC . Al aumentar la relación V / III de 3D-AlN, se mejoraron las cualidades cristalinas de la capa 3D – 2D-AlN. En tercer lugar, realizamos el crecimiento de 3D – 2D-AlN en un modelo 6H con zanja. Sustrato de SiC . La densidad de grietas se redujo para relajar el estrés por huecos. También evaluamos la densidad de la dislocación de la rosca utilizando el grabado de KOH / NaOH fundido. Como resultado, la densidad de dislocación de borde estimada de la muestra 3D – 2D-AlN fue de 3.9 × 108 cm-2.


fuente: iopscience
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