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anisotropía estructural en el plano y estudios polarizados de modo activo raman de aln no polar cultivado en 6h-sic por epitaxia de fase de vapor de hidruro de baja presión

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anisotropía estructural en el plano y estudios polarizados de modo activo raman de aln no polar cultivado en 6h-sic por epitaxia de fase de vapor de hidruro de baja presión

2017-12-16

Se cultivaron capas de a-plano no polar y de plano-m en sustratos de plano a y plano 6h-sic mediante epitaxia de fase de vapor de hidruro de baja presión (lp-hvpe), respectivamente. los efectos de la temperatura de crecimiento fueron investigados. los resultados mostraron que la rugosidad de la superficie se redujo al aumentar la temperatura para las capas aln del plano a y del plano m. la anisotropía morfológica en el plano se reveló mediante microscopía electrónica de barrido y microscopía de fuerza atómica, que se usó para obtener imágenes de las transiciones morfológicas y estructurales con la temperatura. la anisotropía en curvas de oscilación de rayos X en el eje también se detectó mediante difracción de rayos X de alta resolución. sin embargo, en comparación con la capa aln del plano A, se obtuvo fácilmente una superficie lisa para la capa aln del plano m con buena calidad cristalina. la temperatura óptima era más baja para la capa aln del plano m que para la capa aln del plano a. las características de estrés de las capas de aln no polares se estudiaron utilizando espectros raman polarizados. los resultados mostraron la presencia de tensiones anisotrópicas en el plano dentro de las capas epitaxiales no polares.


palabras clave

a1. anisotropía en el plano; a1. no polar; a1. espectro raman; a3. epitaxia en fase de vapor de hidruro; b2. a-plane y m-plane aln; b2. sustrato sic


fuente: sciencedirect


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