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inas / insb heteroestructuras de nanocables cultivadas por epitaxia de haz químico

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inas / insb heteroestructuras de nanocables cultivadas por epitaxia de haz químico

2018-07-25

informamos el crecimiento de la epitaxia del haz químico au-asistido de nanoalambres Insble de zincblenda libre de defectos. el adulto insub segmentos son las secciones superiores de inas / heteroestructuras insb en inas (111) b substratos. mostramos, a través del análisis de hrtem, que el zincblenda insb se puede cultivar sin defectos cristalinos, tales como fallas de apilamiento o planos gemelos. El análisis del mapa de deformación demuestra que el segmento insb está casi relajado a unos pocos nanómetros de la interfaz. mediante estudios posteriores al crecimiento, hemos encontrado que la composición de partículas de catalizador es auin2, y puede variarse a una aleación de auin enfriando las muestras bajo el flujo de tdmasb.


fuente: iopscience

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