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Caracterización por espectroscopia infrarroja de capas epitaxiales 3C-SiC sobre silicio

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Caracterización por espectroscopia infrarroja de capas epitaxiales 3C-SiC sobre silicio

2019-03-12

Hemos medido los espectros infrarrojos de la transformada de Fourier de transmisión del carburo de silicio cúbico(politipo 3C-SiC) capa epitaxial de 20 µm de espesor sobre un sustrato de silicio de 200 µm de espesor. Los espectros se registraron en el rango de número de onda de 400–4000 cm−1. Se presenta un enfoque novedoso de los cálculos de espectros IR basado en la capacidad de recurrencia del lenguaje de programación C sobre la base de la propagación de la luz polarizada en medios en capas utilizando las ecuaciones de Fresnel generalizadas. Los índices de refracción complejos son los únicos parámetros de entrada. Se encuentra una concordancia notable entre todas las características espectrales experimentales de SiC y Si y los espectros calculados. Una asignación completa de (i) los dos modos fundamentales de fonón óptico transversal (TO) (790 cm−1) y óptico longitudinal (LO) (970 cm−1) de 3C–SiC, (ii) con sus armónicos (1522–1627 cm−1) y (iii) las bandas de suma óptica-acústica de dos fonones (1311–1409 cm−1) se logra sobre la base de los datos de la literatura disponible. Este enfoque permite clasificar las contribuciones respectivas del sustrato de Si yCapa superior de SiC . Dichos cálculos se pueden aplicar a cualquier medio, siempre que se conozcan los datos complejos del índice de refracción.


Fuente:IOPscience

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