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ingaasp / ingaas en sustratos inp

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ingaasp / ingaas en sustratos inp

2017-07-11

proporcionamos ingaasp / ingaas epi en substratos inp de la siguiente manera:


1. estructura: 1.55um ingaasp qw láser


no.

capa

dopaje

substrato inp

s-dopado,  2e18 / cm-3

1

buffer n-inp

1.0um, 2e18 / cm-3

2

1.15q-ingaasp  guía de onda

80nm, sin dopar

3

1.24q-ingaasp  guía de onda

70nm, sin dopar

4

4 × ingaasp qw ( + 1% )
5 × ingaasp  barrera

5nm


10nm

pl: 1550nm

5

1.24q-ingaasp  guía de onda

70nm, sin dopar

6

1.15q-ingaasp  guía de onda

80nm, sin dopar

7

capa espacial inp

20nm, sin dopar

8

En p

100nm, 5e17

9

En p

1200 nm, 1.5e18

10

ingaas

100 nm, 2e19

2.especificación:

1) método: mocvd

2) tamaño de la oblea: 2 \"

3) crecimiento ingaasp / ingaas en sustratos inp

4) 3-5 tipos de composición ingaasp

5) tolerancia de pl de +/- 5nm, pl std. dev. \u0026 lt; 3nm a través de la oblea (con una zona de exclusión de 5 mm desde la circunferencia de la oblea)

6) m pl rango objetivo 1500nm.

7) cepa objetivo -1.0% +/- 0.1% (tensión de compresión)

8) no. de capas: 8-20

9) espesor de crecimiento total: 1.0 ~ 3.0um

10) parámetros a medir: medición de difracción de rayos X (espesor, deformación), espectro de fotoluminiscencia (uniformidad pl, pl), perfilado de concentración de portadores


comparamos el tiempo de vida del fotoportador medido en ingaas irradiadas br e ingaasp fe-femo frío. también demostramos la posibilidad de un proceso de absorción de dos fotones (tpa) en eras: gaas. la vida y el tpa se midieron con una configuración de transmisión diferencial (Δt) de resolución de tiempo de 1550 nm basada en fibra. los materiales basados ​​en ingaas muestran un Δt positivo con vida útil inferior al picosegundo, mientras que eras: gaas muestra un Δt negativo consistente con un proceso de absorción de dos fotones.


fuente: semiconductorwafers.net


Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

s terminar con nosotros por correo electrónico en angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .


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