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defectos macroscópicos en gan / aln múltiples estructuras de pozos cuánticos cultivadas por mbe en plantillas gan

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defectos macroscópicos en gan / aln múltiples estructuras de pozos cuánticos cultivadas por mbe en plantillas gan

2018-01-02

hemos utilizado mbe para crecer en superredes de aln / gan, con diferentes períodos, en plantillas movpe-gan de 2,5 μm de espesor para estudiar el desarrollo de defectos como la deformación de la superficie debido a la tensión. después del crecimiento, las muestras se estudiaron mediante microscopía de fuerza atómica (afm), microscopía electrónica de transmisión (tem), xrd y espectroscopía infrarroja con transformada de Fourier (ft-ir). la tensión aumentó con el número de pozos cuánticos (qws) y eventualmente causó defectos como microgrietas visibles por microscopía óptica en cuatro o más períodos de qw. las imágenes de alta resolución tem mostraron recesiones superficiales en la superficie (deformación de la superficie) indicando la formación de microgrietas en la región mqw. el ancho de línea de absorción medido intersubband (is) de una estructura de cuatro períodos fue de 97 mev, que es comparable con el espectro de una estructura de 10 períodos con una energía de absorción de ~700 mev. esto indica que la calidad de interfaz del mqw no se ve sustancialmente afectada por la presencia de grietas.


palabras clave

intersubband; gan; mbe; grietas superficiales; sustrato de zafiro; modelo


fuente: sciencedirect


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