carburo de silicio (sic), es un compuesto de silicio y carbono con fórmula química sic. ocurre en la naturaleza como el moissanite mineral extremadamente raro. El polvo de carburo de silicio ha sido producido en masa desde 1893 para su uso como abrasivo. los granos de carburo de silicio se pueden unir por sinterización para formar cerámicas muy duras que se usan ampliamente en aplicaciones que requieren alta resistencia, como frenos de automóviles, embragues de automóviles y placas de cerámica con chalecos antibalas. las aplicaciones electrónicas de carburo de silicio como diodos emisores de luz (leds) y detectores en radios tempranas se demostraron por primera vez alrededor de 1907, y hoy en día sic se usa ampliamente en electrónica de semiconductores de alta temperatura / alto voltaje. grandes cristales simples de carburo de silicio se pueden cultivar por el método Lely; se pueden cortar en gemas conocidas como moissanite sintético. El carburo de silicio con una gran área de superficie se puede producir a partir de sio2 contenido en el material vegetal.

aquí el polvo sic sintetizado se evapora en un crisol de grafito en condiciones de máxima pureza. sublima entonces en una pared de grafito porosa dentro del crisol formando plaquetas hexagonales. este método se extendió más tarde como técnica de sublimación de semillas por Tairov y Tsvetkov a finales de los años setenta. el último método, más generalmente denominado pvt (transporte físico de vapor), se refinó adicionalmente para producir bolas de sic de gran diámetro, y varias modificaciones de estas técnicas se utilizan ahora en muchos laboratorios de todo el mundo. Se preparan hoy en día cristales individuales de sic de 150 mm de diámetro.

Los dispositivos y circuitos electrónicos semiconductores a base de carburo de silicio (sic) se están desarrollando actualmente para su uso en condiciones de alta temperatura, alta potencia y alta radiación bajo las cuales los semiconductores convencionales no pueden funcionar adecuadamente. Se espera que la capacidad del carburo de silicio para funcionar en condiciones tan extremas permita mejoras significativas en una gran variedad de aplicaciones y sistemas. Estos varían desde una conmutación de alta tensión muy mejorada para ahorrar energía en la distribución de energía eléctrica pública y accionamientos de motores eléctricos hasta motores más potentes electrónica de microondas para radar y comunicaciones a sensores y controles para motores de automóviles y aviones a reacción con mayor eficiencia en el consumo de combustible. en el área particular de los dispositivos de potencia, las evaluaciones teóricas han indicado que los rectificadores de diodos y de energía sic funcionarían en mayores rangos de voltaje y temperatura, tienen características de conmutación superiores y, sin embargo, tienen tamaños de matriz casi 20 veces más pequeños que los dispositivos basados ​​en silicio clasificados correspondientemente. sin embargo, estas tremendas ventajas teóricas aún no se han realizado ampliamente en dispositivos sic disponibles comercialmente, principalmente debido al hecho de que las tecnologías de crecimiento de cristal y de fabricación de dispositivos relativamente inmaduras de sic aún no están suficientemente desarrolladas al grado requerido para una incorporación confiable en la mayoría de los sistemas electrónicos.