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crecimiento monocristalino y propiedades termoeléctricas de ge (bi, sb) 4te7

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crecimiento monocristalino y propiedades termoeléctricas de ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

las propiedades termoeléctricas entre 10 y 300 k y el crecimiento de monocristales de tipo n y p de tipo p Se informaron soluciones sólidas de bi4te7, gesb4te7 y ge (bi1-xsbx) 4te7. los cristales individuales se cultivaron mediante el método de bridgman modificado, y el comportamiento de tipo p se logró mediante la sustitución de bi por sb en gebi4te7.


la termopotencia en la solución sólida ge (bi1-xsbx) 4te7 varía de -117 a +160 μv k-1. el cruce de n-type a p-type es continuo con el aumento de contenido sb y se observa a x ≈0.15. las eficiencias termoeléctricas más altas entre las muestras de tipo n y de tipo p probadas son znt = 0,11 y zpt = 0,20, respectivamente. para un par n-p óptimo en este sistema de aleación, la cifra compuesta de mérito es znpt = 0.17 a temperatura ambiente.


fuente: iopscience


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