2020-03-17
2020-03-09
Las películas de AlGaN/ GaN se cultivaron en sustratos de Si(111) carbonizado, que se emplearon para evitar que las impurezas, como los átomos de Ga residuales, reaccionaran y deterioraran la superficie de los sustratos de Si. El proceso de limpieza para el canal de flujo en la deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD) podría eliminarse de manera efectiva mediante el uso de este sustrato de Si carbonizado, y se obtuvieron películas de AlGaN/GaN de alta calidad.
Fuente:IOPscience
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