2020-03-17
2020-03-09
pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabricante, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. como una empresa profesional invertida por los principales fabricantes de los campos de avanzada e investigación de materiales de alta tecnología e institutos estatales y laboratorio de semiconductores de China, nos dedicamos continuamente mejorar la calidad de los sustratos actuales y desarrollar sustratos de gran tamaño.
Moq :
1
obleas de carburo de silicio
pam-xiamen ofrece semiconductor obleas de carburo de silicio , 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para investigadores y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, establecimos una línea de producción para el sustrato sic del fabricante, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. como una empresa profesional invertida por los principales fabricantes de los campos de investigación de materiales avanzados y de alta tecnología e institutos estatales y laboratorio de semiconductores de China, nos dedicamos a mejorar continuamente la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño.
aquí muestra la especificación detallada:
propiedades del material de carburo de silicio
|
polytype |
cristal individual 4h |
cristal individual 6h |
|
enrejado parámetros |
a = 3.076 Å |
a = 3.073 Å |
|
u0026 emsp; |
c = 10.053 Å |
c = 15.117 Å |
|
apilado secuencia |
abcb |
abcacb |
|
espacio de banda |
3.26 ev |
3.03 ev |
|
densidad |
3.21 · 10 3 kg / m 3 |
3.21 · 10 3 kg / m3 |
|
termia. expansión coeficiente |
4-5 × 10 -6 / k |
4-5 × 10 -6 / k |
|
índice de refracción |
no = 2.719 |
no = 2.707 |
|
u0026 emsp; |
ne = 2.777 |
ne = 2.755 |
|
dieléctrico constante |
9.6 |
9.66 |
|
térmico conductividad |
490 w / mk |
490 w / mk |
|
Descompostura campo eléctrico |
2-4 · 10 8 v / m |
2-4 · 10 8 v / m |
|
deriva de saturación velocidad |
2.0 · 10 5 Sra |
2.0 · 10 5 Sra |
|
electrón movilidad |
800 cm 2 / v · s |
400 cm 2 / v · s |
|
movilidad del agujero |
115 cm 2 / v · s |
90 cm 2 / v · s |
|
dureza de mohs |
~ 9 |
~ 9 |
6h n-type sic, especificación de oblea de 2 "
|
substrato propiedad |
s6h-51-n-pwam-250 s6h-51-n-pwam-330 s6h-51-n-pwam-430 |
|
descripción |
producción a / b grado c / d dummy de grado de investigación d sustrato sic grado 6h |
|
polytype |
6h |
|
diámetro |
(50.8 ± 0.38) mm |
|
espesor |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430) ± 25) μm |
|
tipo de portador |
tipo n |
|
dopante |
nitrógeno |
|
resistividad (rt) |
0.02 ~ 0.1 Ω · cm |
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
superficie orientación |
|
|
en eje |
u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
fuera de eje |
3.5 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
piso primario orientación |
paralelo {1-100} ± 5 ° |
|
piso primario longitud |
16.00 ± 1.70 mm |
|
piso secundario orientación |
si-cara: 90 ° cw. de orientación plana ± 5 ° |
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
piso secundario longitud |
8.00 ± 1.70 mm |
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
exclusión de borde |
1 mm |
4h semi-aislante sic, especificación de oblea de 2 "
|
substrato propiedad |
s4h-51-si-pwam-250 s4h-51-si-pwam-330 s4h-51-si-pwam-430 |
|
descripción |
producción a / b grado c / d grado d dummy grado de investigación 4h semi sustrato |
|
polytype |
4h |
|
diámetro |
(50.8 ± 0.38) mm |
|
espesor |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430) ± 25) μm |
|
resistividad (rt) |
u0026 gt; 1e5 Ω · cm |
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
superficie orientación |
|
|
en eje u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
|
apagado eje 3.5 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
|
piso primario orientación |
paralelo {1-100} ± 5 ° |
|
piso primario longitud |
16.00 ± 1.70 mm |
|
piso secundario orientación si-cara: 90 ° cw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
piso secundario longitud |
8.00 ± 1.70 mm |
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
exclusión de borde |
1 mm |
Especificación de la oblea de 6h tipo n o semi-aislante sic, 5 mm * 5 mm, 10 mm * 10 mm: espesor: 330μm / 430μm
6h tipo n o semiaislante sic, 15 mm * 15 mm, 20 mm * 20 mm especificación de la oblea: espesor: 330μm / 430μm
4h n-type sic, especificación de oblea de 2 "
|
substrato propiedad |
s4h-51-n-pwam-330 s4h-51-n-pwam-430 |
|
|
descripción |
producción a / b grado c / d dummy de grado de investigación d grado 4h sic substrato |
|
|
polytype |
4h |
|
|
diámetro |
(50.8 ± 0.38) mm |
|
|
espesor |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430) ± 25) μm |
|
|
tipo de portador |
tipo n |
|
|
dopante |
nitrógeno |
|
|
resistividad (rt) |
0.012 - 0.0028 Ω · cm |
|
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
|
superficie orientación |
u0026 emsp; |
|
|
en eje |
u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
|
fuera de eje |
4 ° u 8 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
|
piso primario orientación |
paralelo {1-100} ± 5 ° |
|
|
piso primario longitud |
16.00 ± 1.70) mm |
|
|
piso secundario orientación |
si-cara: 90 ° cw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
||
|
piso secundario longitud |
8.00 ± 1.70 mm |
|
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
|
exclusión de borde |
1 mm |
|
4h n-type sic, especificación de oblea de 3 "
|
substrato propiedad |
s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430 |
|
descripción |
a / b grado de producción c / d grado dummy de grado de investigación d 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diámetro |
(76.2 ± 0.38) mm |
|
espesor |
(350 ± 25) μm (430) ± 25) μm |
|
tipo de portador |
tipo n |
|
dopante |
nitrógeno |
|
resistividad (rt) |
0.015 - 0.028Ω · cm |
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 25μm |
|
superficie orientación |
|
|
en eje |
u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
fuera de eje |
4 ° u 8 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
piso primario orientación |
u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
piso primario longitud |
22.22 mm ± 3.17 mm |
|
0.875 "± 0.125" |
|
|
piso secundario orientación |
si-cara: 90 ° cw. de orientación plana ± 5 ° |
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
piso secundario longitud |
11.00 ± 1.70 mm |
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
rasguño |
ninguna |
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
exclusión de borde |
2 mm |
4h semi-aislante sic, especificación de oblea de 3 "
|
substrato propiedad |
s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430 |
|
descripción |
producción a / b calidad ficticia grado d grado de investigación c / d 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diámetro |
(76.2 ± 0.38) mm |
|
espesor |
(350 ± 25) μm (430) ± 25) μm |
|
tipo de portador |
semi-aislante |
|
dopante |
v |
|
resistividad (rt) |
u0026 gt; 1e5 Ω · cm |
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 25μm |
|
superficie orientación |
|
|
en eje |
u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
fuera de eje |
4 ° u 8 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
piso primario orientación |
u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
piso primario longitud |
22.22 mm ± 3.17 mm |
|
0.875 "± 0.125" |
|
|
piso secundario orientación |
si-cara: 90 ° cw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
piso secundario longitud |
11.00 ± 1.70 mm |
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
rasguño |
ninguna |
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
exclusión de borde |
2 mm |
4h n-type sic, especificación de oblea de 4 "
|
substrato propiedad |
s4h-100-n-pwam-330 s4h-100-n-pwam-430 |
|
descripción |
producción a / b grado c / d dummy de grado de investigación d grado 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diámetro |
(100.8 ± 0.38) mm |
|
espesor |
(350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
tipo de portador |
tipo n |
|
dopante |
nitrógeno |
|
resistividad (rt) |
0.015 - 0.028Ω · cm |
|
superficie aspereza |
u0026 lt; 0.5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (pulido óptico c-face) |
|
fwhm |
a u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 arcsec |
|
micropipe densidad |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 45μm |
|
superficie orientación |
|
|
en eje |
u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
fuera de eje |
4 ° u 8 ° hacia u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0.5 ° |
|
piso primario orientación |
u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
piso primario longitud |
32.50 mm ± 2.00mm |
|
piso secundario orientación |
si-cara: 90 ° cw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
c-cara: 90 ° ccw. desde orientación plana ± 5 ° |
|
|
piso secundario longitud |
18.00 ± 2.00 mm |
|
acabado de la superficie |
simple o doble cara pulida |
|
embalaje |
caja de obleas individuales o caja multi oblea |
|
rasguño |
ninguna |
|
área utilizable |
≥ 90% |
|
exclusión de borde |
2 mm |
Especificación de la oblea 4h tipo n o semi-aislante, 5 mm * 5 mm, 10 mm * 10 mm: espesor: 330μm / 430μm
4h tipo n o semi-aislante sic, 15 mm * 15 mm, 20 mm * 20 mm oblea especificación: espesor: 330μm / 430μm
una oblea sic plana, tamaño: 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm, especificaciones a continuación:
Espesor del tipo 6h / 4h n: 330μm / 430μm o personalizado
Espesor semi-aislante de 6h / 4h: 330μm / 430μm o personalizado
proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7
pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.
cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración7
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
