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x-fab y exagan producen exitosamente primeros dispositivos gan-on-silicon en obleas de 200 mm

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x-fab y exagan producen exitosamente primeros dispositivos gan-on-silicon en obleas de 200 mm

2017-06-11

x-fab silicio fundiciones y exagan, un innovador de arranque de tecnología de semiconductores de nitruro de galio (gan) que permite convertidores eléctricos más pequeños y eficientes, han demostrado la capacidad de producción en masa para fabricar dispositivos de alta potencia de alta tensión en redes de 200 mm en obleas de silicio usando la instalación de producción de cmos estándar de x-fab en dresden, alemania. este logro es el resultado de un acuerdo de desarrollo conjunto lanzado en 2015, que permite ventajas de costo / rendimiento que no podrían lograrse con obleas más pequeñas.


(imagen: fundiciones de silicio x-fab)


exagan y x-fab han resuelto con éxito muchos de los desafíos relacionados con el estrés del material, la defectuosidad y la integración del proceso al utilizar equipos de fabricación estándar y recetas de procesos. combinado con el uso de obleas de 200 mm, esto reducirá significativamente el costo de la producción masiva de dispositivos gan-on-silicon. al permitir una mayor integración de energía que los dispositivos de silicio, los dispositivos gan pueden mejorar la eficiencia y reducir el costo de los convertidores eléctricos, lo que acelerará su adopción en aplicaciones que incluyen estaciones de carga de vehículos eléctricos, servidores, automóviles y sistemas industriales.



(imagen: exagan)


los nuevos dispositivos gan-on-silicon se han construido utilizando sustratos fabricados en las instalaciones de epi-manufacturing de 200 mm de exagan en grenoble, francia. Estas obleas EPI cumplen con las especificaciones físicas y eléctricas para producir los dispositivos g-fet ™ de 650 voltios de exagan, así como también los estrictos requisitos de compatibilidad con las líneas de fabricación de Cmos.


el trabajo anterior de la industria con gan se había limitado a obleas de 100 mm y de 150 mm debido a los desafíos de las películas de capas de gan sobre sustratos de silicio. La tecnología g-stack ™ de exagan permite a los dispositivos gan-on-silicon fabricarse de forma más rentable en sustratos de 200 mm depositando una pila única de capas de gestión de tensión y gan que alivia la tensión entre las capas de gan y silicio. Se ha demostrado que los dispositivos resultantes exhiben un alto voltaje de ruptura, baja fuga vertical y operación a alta temperatura.


\"Este es un hito importante en el desarrollo de nuestra empresa a medida que aceleramos el desarrollo y la calificación de productos\", dijo Frédéric Dupont, presidente y director ejecutivo de exagan. \"Demuestra las fortalezas combinadas de nuestro material epi, el proceso fab de obleas de x-fab y las capacidades de diseño de nuestro dispositivo. también confirma el éxito de nuestro modelo fab-lite integrado verticalmente, con experiencia desde materiales hasta dispositivos y aplicaciones. es el momento perfecto para establecer la tecnología y los productos gan en la plataforma más competitiva de 200 mm, justo cuando los productos gan power están obteniendo una gran tracción en sus mercados de servidores, electrónica de consumo y automotriz \".


\"Tenemos una gran confianza en el equipo de liderazgo de exagan y en la hoja de ruta de rendimiento del producto\", dijo Rudi de Winter, CEO de x-fab. \"A través de esta asociación productiva, x-fab está aprovechando sus recursos y experiencia para llevar la tecnología de exagan a la fabricación y proporcionar al mercado de conversión de energía una cadena de suministro confiable\".


exagan exhibirá su innovadora tecnología gan y transistores g-fet en el stand # 9-230 en la feria comercial pcim europe, 16-18 de mayo en nuremberg, alemania.


palabras clave: x-fab, exagan, ganos en oblea,


fuente: ledinside


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