una micropipeta, también denominada \"microporo\", \"microtubo\", \"defecto capilar\" o \"defecto estenopeica\", es un defecto cristalográfico en un sustrato monocristalino. Es un parámetro importante para los fabricantes de substratos de carburo de silicio (sic) que se usan en una variedad de industrias tales como dispositivos de semiconductores de potencia para vehículos y dispositivos de comunicación de alta frecuencia.

sin embargo, durante la producción de estos materiales, el cristal sufre tensiones internas y externas que causan el crecimiento de defectos o dislocaciones dentro de la red atómica.

una dislocación de tornillo es una dislocación común que transforma sucesivos planos atómicos dentro de una red cristalina en la forma de una hélice. una vez que la dislocación del tornillo se propaga a través del volumen de una muestra durante el proceso de crecimiento de la oblea, se forma una micropipeta. la presencia de una alta densidad de micropipes dentro de una oblea dará como resultado una pérdida de rendimiento en el proceso de fabricación del dispositivo.

Las micropipetas y las dislocaciones de tornillo en las capas epitaxiales normalmente se derivan de los sustratos sobre los que se realiza la epitaxia. las micropipetas se consideran dislocaciones de tornillo de núcleo vacío con una gran energía de deformación (es decir, tienen vector de hamburguesas grandes); siguen la dirección de crecimiento (eje c) en bolas de carburo de silicio y sustratos que se propagan a las capas epitaxiales depositadas.

Los factores que influyen en la formación de micropipetas (y otros defectos) son los parámetros de crecimiento tales como temperatura, sobresaturación, estequiometría en fase de vapor, impurezas y la polaridad de la superficie del cristal de siembra.

La densidad de micropipe (mpd) es un parámetro crucial para los sustratos de carburo de silicio (sic) que determina la calidad, estabilidad y rendimiento de los dispositivos semiconductores construidos sobre estos sustratos. la importancia de mpd se ve subrayada por el hecho de que todas las especificaciones existentes para sustratos de 6h y 4h-sic establecen límites superiores para ella.