Los diodos schottky de potencia 4h-sic (con voltajes de bloqueo nominales de hasta 1200 v y corrientes nominales de estado de hasta 20 a la fecha de este escrito) ahora están disponibles comercialmente. la estructura básica de estos diodos unipolares es un contacto de ánodo schottky de metal estampado que reside en la parte superior de una capa homoepitaxial ligeramente delgada (aproximadamente del orden de 10 μm de espesor) ligeramente dopada crecida en un espesor mucho mayor (alrededor de 200-300 μm) sustrato de baja resistividad tipo 4h-sic (8 ° fuera de eje, como se discutió en la sección 5.4.4.2) con metalización de contacto en el cátodo posterior. Las estructuras de anillo de protección (usualmente implantes de tipo p) se emplean generalmente para minimizar los efectos de amontonamiento del campo eléctrico alrededor de los bordes del contacto del ánodo. la pasivación y el empaquetamiento de las pastillas ayudan a evitar el arqueo / descarga disruptiva de la superficie que daña la operación confiable del dispositivo.

la aplicación principal de estos dispositivos hasta la fecha ha sido fuentes de alimentación conmutadas, donde (de acuerdo con la discusión en la sección 5.3.2) la conmutación más rápida del rectificador sic schottky con menos pérdida de potencia ha permitido un funcionamiento de frecuencia más alta y la reducción de condensadores, inductores y el tamaño y el peso de la fuente de alimentación general. en particular, la ausencia efectiva de almacenamiento de carga del portador minoritario permite que los dispositivos sic schottky unipolares se apaguen mucho más rápido que los rectificadores de silicio (que deben ser diodos de unión pn superiores a ~ 200 v de bloqueo) que deben disipar la energía de carga del portador minoritario inyectado cuando se apaga . aunque el costo de parte de los rectificadores sic ha sido más alto que el de los rectificadores de silicio de la competencia, sin embargo se logra un costo de sistema de suministro de energía más bajo con beneficios de rendimiento útiles. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que los cambios en el diseño del circuito a veces son necesarios para mejorar las capacidades del circuito con una fiabilidad aceptable cuando se reemplaza el silicio con componentes sic.

como se discutió en la sección 5.4.5, la calidad del material sic actualmente limita las clasificaciones de corriente y voltaje de los diodos sic schottky. bajo alta polarización directa, la conducción de corriente del diodo schottky está limitada principalmente por la resistencia en serie de la capa de bloqueo ligeramente dopada. el hecho de que esta resistencia en serie aumenta con la temperatura (debido a la disminución de la movilidad del portador de epilayer) impulsa la equilización de corrientes hacia adelante altas a través de cada diodo cuando varios diodos schottky son paralelos para manejar clasificaciones de corriente en estado más altas.