el rectificador de diodo de alta potencia es un componente fundamental de los circuitos de conversión de potencia. revisiones recientes de los resultados de rectificadores sic experimentales se dan en las referencias 3, 134, 172, 180 y 181. las disyuntivas más importantes del diseño del dispositivo rectificador de diodos sic son aproximadamente correctas compensaciones bien conocidas del rectificador de silicio, excepto por el hecho de que las densidades actuales , voltajes, densidades de potencia y velocidades de conmutación son mucho mayores en sic. por ejemplo, los rectificadores de diodos Schottky semiconductores son dispositivos portadores mayoritarios que son bien conocidos por exhibir una conmutación muy rápida debido a la ausencia de almacenamiento de carga de portadora minoritaria que domina (es decir, ralentiza, provocando de forma adversa una energía residual y calor no deseados) la operación de conmutación de bipolar rectificadores de unión pn. sin embargo, el campo de descomposición alto y el ancho de banda de energía permiten el funcionamiento de diodos schottky semiconductores sic de metal a voltajes mucho más altos (más de 1 kv) que los prácticos con diodos schottky basados ​​en silicio que están limitados a operación por debajo de ~ 200 v debido a polarización por fugas termiónicas.