2020-03-17
2020-03-09
otras obleas oblea lsat cantidad material orientación. tamaño espesor polaco resistividad tipo dopante primer piso epd real academia de bellas artes piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientación / cm2 Nuevo Méjico 1-100 lsat (100) 50.8 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 lsat (100) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 lsat (110) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 lsat (111) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 lsat (100) 10x10 2000 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 como proveedor de obleas lsat, ofrecemos lsat wafer list para su referencia, si necesita detalles de precios, contáctese con nuestro equipo de ventas Nota: *** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición. *** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto. oblea tio2 cantidad material orientación. tamaño espesor polaco resistividad tipo dopante primer piso epd real academia de bellas artes piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientación / cm2 Nuevo Méjico 1-100 tio2 (110) 5x5 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 tio2 (011) 5x5 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 tio2 (001) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 tio2 (110) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 tio2 (011) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 como proveedor de obleas tio2, ofrecemos la lista de obleas tio2 para su referencia, si necesita detalles de los precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas Nota: *** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición. *** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto. la oblea lao cantidad material orientación. tamaño espesor polaco resistividad tipo dopante primer piso epd real academia de bellas artes piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientación / cm2 Nuevo Méjico 1-100 lao (100) 50.8 500 ± 50 dsp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 Como proveedor de la oblea lao, ofrecemos la lista de obleas lao para su referencia, si necesita detalles de precios, contáctese con nuestro equipo de ventas Nota: *** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición. *** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto. oblea al2o3 cantidad material orientación. tamaño espesor polaco resistividad tipo dopante primer piso epd real academia de bellas artes piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientación / cm2 Nuevo Méjico 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 dsp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 al2o3 (0001) 20x20 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 1-100 al2o3 (0001) 30x30 500 ssp n / A n / A n / A n / A \u0026 lt; 0.5 como ...
sistema de deposición química de vapor de grafeno proporcionamos series de sistemas grafema 2d para grafema, cnt y otro crecimiento de material en 2d. y ofrece el sistema de deposición de vapor químico (cvd) más eficiente para el crecimiento de grafeno (es compatible tanto para el crecimiento de lpcvd como para el de apcvd). también podemos ajustar que cada uno de estos sistemas estándar se pueda personalizar según los requisitos específicos de la aplicación del usuario. configuraciones del sistema: 1) cámara de reacción temperatura de trabajo estándar: ~ 1000 temperatura máxima de trabajo: ~ 1200 ° c. potencia nominal: 2.5 kw. modo de sello: acero inoxidable el sello de extrusión de brida rápida kf, modo de refrigeración: refrigeración por agua externa. 2) gas y controlador pureza ar: 99.999%; rango de flujo: 0-1000 sccm; pureza h2: 99.999%; rango de flujo: 0-200 sccm; pureza de ch4 99.999%; rango de flujo: 0-10 sccm; 13ch4 * pureza 99%; rango de flujo: 0-10 sccm. (*Opcional) 3) sistema de vacío bomba mecánica: velocidad de bombeo: 400 l / min; presión de base: 1 × 10-3 torr. trampa de nitrógeno líquido * (* opcional) sobre presión de protección controlador de manómetro de vacío: controlar manualmente la presión de la cámara. (* el modo de control automático es opcional) 4) módulos de control nuestro software de control graphene cvd para control de procesos en tiempo real, registro y visualización de datos, generación de recetas y edición. la temperatura, el índice de flujo y la presión de vacío son controlados o editados fácilmente por computadora. (el control manual todavía está disponible). Recetas preprogramadas para el crecimiento de grafeno se suministran a los usuarios. nuestro objetivo: la comercialización y producción masiva de nuevos materiales 2d como el grafeno se está convirtiendo rápidamente en una realidad, y las universidades e investigadores de todo el mundo tienen presupuestos limitados pero requieren un alto rendimiento de sus equipos o sistemas. Por lo tanto, nuestro objetivo es proporcionar un excelente sistema grafema cvd para crecimiento de grafema en el precio más bajo para cumplir con su objetivo de precio. Las características: 1) controla completamente el sistema automáticamente con recetas preprogramadas para el crecimiento de grafeno. 2) procesos de referencia & asistencia de optimización 3) sistemas de estandarización o personalización para adaptarse a cualquier presupuesto 4) crecimiento de grafeno monocristalino de alto rendimiento en el tamaño de cristal único de hasta unos pocos milímetros 5) técnica única de crecimiento de etiquetado de isótopos para el estudio dinámico 6) ofrecemos servicios profesionales de instalación y capacitación para ayudar a la transición de nuestros productos a su entorno de trabajo, incluida la aplicación técnica y la transferencia de conocimiento. el proceso de instalación comienza con una revisión detallada del alcance del trabajo para definir sus requisitos de instalación y capacita...
obleas de grafeno / películas obleas de grafeno / películas Artículo No descripción mg / pet-10-10 grafeno monocapa en película para mascotas (10 mm x 10 mm) mg / pet-20-20 grafeno monocapa en película para mascotas (20 mm x 20 mm) mg / pet-50-50 grafeno monocapa en película para mascotas (50 mm x 50 mm) mg / pet-100-100 grafeno monocapa en película para mascotas (100 mm x 100 mm) mg / pet-300-200 grafeno monocapa en película para mascotas (30 0 mm x 200 mm) mg / pet-500-200 grafeno monocapa en película para mascotas (500 mm x 200 mm) mg / sio2 / si-10-10 grafeno monocapa en sio2 / silicio (10 mm x 10 mm) mg / sio2 / si-25-25 grafeno monocapa en sio2 / silicio (1 pulgada x 1 pulgada) mg / sio2 / si-100 grafeno monocapa en sio2 / silicio (oblea de 100 mm) bg / sio2 / si-10-10 grafeno bicapa sobre sio2 / silicio (10 mm x 10 mm) tg / sio2 / si-10-10 grafeno tricapa en sio2 / silicio (10 mm x 10 mm) mg / cu-10-10 grafeno monocapa en cobre (10 mm x 10 mm) mg / cu-20-20 grafeno monocapa en cobre (20 mm x 20 mm) mg / cu-25-25 grafeno monocapa en cobre (1 pulgada x 1 pulgada) mg / cu-50-50 grafeno monocapa en cu (50 mm x 50 mm) mg / cu-100-50 grafeno monocapa en cu (100 mm x 50 mm) mg / cu-100 grafeno monocapa en cu (obleas de 100 mm) mg / ni-10-10 Crecimiento de grafeno en níquel (10 mm x 10 mm) mg / ni-20-20 Crecimiento de grafeno en níquel (20 mm x 20 mm) mg / ni-30-20 Crecimiento de grafeno en níquel (30 mm x 20 mm) mg / ni-50-20 Crecimiento de grafeno en níquel (50 mm x 20 mm) fuente: pam-xiamen Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: www.powerwaywafer.com, envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
oblea de silicio si sustrato de obleas - silicio cantidad material orienta ción. Diamet er thickne ss polaco resisti vity ty pe dopant Carolina del Norte mobi lity epd piezas (mm) (μm ) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm 3 cm 2 / vs /cm 2 1-100 si n / A 25.4 280 ssp 1-100 p / b n / A n / A n / A 1-100 si n / A 25.4 280 ssp 1-100 p / b (1-200) e16 n / A n / A 1-100 si (100) 25.4 525 n / A \u0026 lt; 0.005 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0.005 n / A n / A n / A n / A 1-100 si con óxido capa (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0.005 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 25.4 350-500 ssp 1 ~ 10 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 25.4 400 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 pag/ n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.4 400 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 pag/ n / A n / A n / A 1-100 p-si con 90 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 pag/ n / A n / A n / A 1-100 n-si con 90 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 p-si con 285 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 n-si con 285 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 si con electrodos (100) 50.8 400 n / A \u0026 lt; 0.05 notario público 1e14-1e15 n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 275 ssp 1 ~ 10 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 275 ± 25 ssp 1 ~ 10 notario público n / A n / A n / A 1-100 si (111) 50.8 350 ± 15 ssp \u0026 gt; 10000 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 430 ± 15 ssp 5000-8000 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (111) 50.8 410 ± 15 ssp 1 ~ 20 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (111) 50.8 400-500 ssp \u0026 gt; 5000 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 525 ± 25 ssp 1 ~ 50 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 ssp 1 ~ 10 n p n / A n / A n / A 1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 páginas \u0026 gt; 700 pag/ n / A n / A n / A 1-100 si (100) 76.2 400 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 pag/ n / A n / A n / A 1-100 p-si con 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 pag/ n / A n / A n / A 1-100 n-si con 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 p-si con 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 n-si con 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 Educación física \u0026 lt; 0.05 norte/ n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 625 ssp \u0026 gt; 10000 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 525 ssp n / A notario público n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 320 ssp \u0026 gt; 2500ohm · cm p / b n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 n / A ssp 10 ~ 30 notario público n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 505 ± 25 ssp 0.005-0.20 n / p-dopado n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 381 ssp 0.005-0.20 n / p-dopado n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / A n / A n / A n / A 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / A n / A n / A n / A 1-100 ...
sustratos para deposición de película de nitruro iii-v cristal estructura m.p. densidad mal emparejamiento de celosía expansión térmica tecnología de crecimiento. .\u0026amperio; tamaño máximo tamaño de sustrato estándar (mm) o do g / cm 3 (10 -6 / k) sic (6h como ejemplo) hexagonal ~ 2700 3.21 3.5% atori. 10.3 cvd Ø2 \"x 0.3, Ø3\" x0.3 a = 3.073 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; 20x20x0.3,15x15x0.3 c = 15.117 Å \u0026 emsp; Ø3 \" 10x10x0.3,5x5x0.3 \u0026 emsp; subl. \u0026 emsp; 1 lado epi pulido Alabama 2 o 3 hexagonal 2030 3.97 14% atori. 7.5 cz Ø50 x 0.33 a = 4.758 Å \u0026 emsp; Ø25 x 0.50 c = 12.99 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 o 2 lados epi pulido lialo 2 tetragonal 1900 ~ 2.62 1.4% atori. / cz 10x10x0.5 a = 5.17 Å Ø20 mm 1 o 2 lados epi pulido c = 6.26 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; ligao 2 Orthor. 1600 4.18 0.2% atori. / cz 10x10x0.5 a = 5.406 Å Ø20 mm 1 o 2 lados epi pulido b = 5.012Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 6.379 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; mgo cúbico 2852 3.58 3% atori. 12.8 flujo 2 \"x2\" x 0.5 mm, Ø2 \"x 0.5 mm a = 4.216 Å \u0026 emsp; 1 \"x1\" x 0.5 mm, Ø1 \"x 0.5 mm \u0026 emsp; Ø2 \" 10 x10x0.5 mm 1 o 2 lados epi pulido mgal 2 o 4 cúbico 2130 3.6 9% atori. 7.45 cz Ø2 \"x 0.5 a = 8.083 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 o 2 lados epi pulido zno hexag. 1975 5.605 2.2% atori. 2.9 hidro-térmico 20x20x0.5 a = 3.325 Å 20 mm 1 o 2 lados epi pulido c = 5.213 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; gan hexagonal \u0026 emsp; 6.15 \u0026 emsp; 5.59 \u0026 emsp; 10x10x0.475mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 5x5x0.475mm
sustratos superconductores cristal estructura m.p. densidad expansión térmica constante dieléctrica tecnología de crecimiento. \u0026amperio; max. tamaño oblea estándar epi pulida de 1 o 2 lados o do g / cm 3 \u0026 emsp; lsat cúbico 1840 6.74 10 22 cz 20x20x0.5mm (laalo3) 0.3 - (sr2altao8) 0.7 a = 3.868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm laalo3 rhombo 2100 6.51 9.2 24.5 cz Ø3 \"x0.5mm a = 3.790 Å Ø3 \" Ø2 \"x0.5mm c = 13.11 Å \u0026 emsp; Ø1 \"x0.5mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 10x10x0.5mm mgo cúbico 2852 3.58 12.8 9.8 flujo Ø2 \"x0.5mm a = 4.21 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm ndgao3 Orthor. 1600 7.57 7.8 25 cz Ø2 \"x0.5mm a = 5.43 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm b = 5.50 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 7.71 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; srtio3 cúbico 2080 5.12 10.4 300 vernuil 10x10x0.5mm a = 3.90 Å Ø30mm srlaalo4 tetrag. 1650 16.8 cz 10x10x0.5mm a = 3.756 Å Ø20mm c = 12.63 Å \u0026 emsp; yalo 3 Orthor. 1870 4.88 2 ~ 10 16`20 cz 10x10x0.5mm a = 5.176 Å b = 5.307 Å Ø30mm c = 7.355 Å \u0026 emsp; ysz cúbico ~ 2500 5.8 10.3 27 flujo Ø2 \"x0.5mm a = 5.125 Å Ø2 \" 10x10x0.5m
epi / película delgada en el sustrato sustrato / plantilla gan sio2 + si3n4 en sustrato de oblea de silicio gaas / algas en sustrato de gaas (si) película sic 4h en sustrato 4h-sic aln película delgada substrato película de aluminio substrato Nitrido de silicona en el sustrato corning 7980 la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 en sustrato nb (srtio3) diamante en sustrato de oblea de silicio película conductora ag ( nanowir plateado planarizado ) substrato fto película sobre sustratos Nitrido de silicona en sustrato de silicio la0.5sr0.5tio3 sustrato de película oblea de silicio au-coated / sustrato de portaobjetos de vidrio ge epi-film on si substrate au (orientado policristalino) / cr / sio2 / si substrate película de grafeno en sustrato ni / sio2 / si au (orientado policristalino) / ti / sio2 / si sustrato pbzrxti 1-xo3 (pzt) substrato la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 en substrato srtio3 plata (ag) en sustrato si oblea película mos2 epi en sustrato sio2 / si sustrato de película srmoo4 ba1 xsrxtio3 película en el sustrato (pt / ti / sio2 / si) mo revestido de sustrato de vidrio sodalime Srruo3 sustrato de película ito revestido (sodalime) vidrio / sustrato de plástico ni coated si substrate soi wafer (si en el aislador ) sustrato Tio2 recubierto de substrato de vidrio sodalime sustrato de óxido térmico nitruro de boro en silicio ito / zno coated sustrato de vidrio sodalime película de bifeo3 en el sustrato si + sio2 + ti (o tio2) + pt sustrato de película delgada película ybco epi en sustrato srtio3, laalo3, al2o3 película yig epi en sustrato ggg ceo2 epi thin película en sustrato ysz película cu epi en si sustrato ingaas epi on substrato inp película fina zno en sustrato de zafiro sos (silicio en zafiro) sustrato película zno / pt / ti en si sustrato zno en sustrato de vidrio / sílice fundida película zno / au / cr en si sustrato película lanio3 substrato Algan sustrato / modelo
cristal individual cristal ceo2 fe3o4 crystal cristal sno2 cristal cu2o fe2o3 crystal cristal mno cristal prsco3 substrato ndsco3 crystal substrato ndsco3 crystal substrato gdsco3 crystal substrato cristal dysco3 substrato Soi Wafer ti terminal srtio3 hopg ( pirolítico altamente orientado grafito ) película zno / cal2o3 ain en oblea de zafiro
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