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algainp epi oblea

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algainp epi oblea

2017-08-01

algainp se usa en la fabricación de diodos emisores de luz de alto brillo, rojo, naranja, verde y amarillo, para formar la luz que emite la heteroestructura. también se usa para hacer láseres de diodo.


La capa de algainp a menudo se cultiva con heteroepitaxi sobre arseniuro de galio o fosfuro de galio para formar una estructura de pozo cuántico.



especificaciones de obleas algainp en chips


algainp led wafer para chip

item no.:pam-cayg1101


dimensiones:

técnica de crecimiento - mocvd

material de sustrato: arseniuro de galio

conducción del sustrato: n tipo

diámetro: 2 \"


● dimensiones del chip:

1) tamaño del chip: tamaño frontal: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)

reverso: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)

2) espesor de la viruta: 7mil (± 1mil)

3) tamaño de la almohadilla: 4mil (± 0.5mil)

4) estructura: ver 1-1


● propiedades fotoeléctricas

parámetro

condición

min.

típico

max.

unidad

tensión directa ( vf1 )

if = 10μa

1.35

v

tensión directa ( vf2 )

if = 20ma

2.2

v

tensión inversa ( lr )

vr = 10v

2

μa

dominante  longitud de onda ( λ d)

if = 20ma

565

575

Nuevo Méjico

fwhm ( Δλ )

if = 20ma

10

Nuevo Méjico


● intensidad luminosa:

código

lc

ld

le

si

lg

lh

li

iv (mcd)

20-30

25-35

30-35

35-50

40-60

50-70

60-80


banda de gap de algainp forzado en sustrato de gaas


en este tutorial queremos estudiar las lagunas de banda de alxgayin1-x-yp sobre un sustrato de gaas.

los parámetros materiales están tomados de

parámetros de banda para semiconductores compuestos iii-v y sus aleaciones

yo. vurgaftman, j.r. Meyer, l.r. Ram-Mohan

j. Apl. fis. 89 (11), 5815 (2001)


Para entender el efecto de la tensión en el espacio de banda en los componentes individuales de este cuaternario, primero examinamos los efectos en

1) alp

tenso  tensamente

con respecto a  Gaas

2) brecha

tenso  tensamente

con respecto a  Gaas

3) inp

tenso  compresivamente

con respecto a  Gaas

4) al X Georgia 1-x pag

tenso  tensamente

con respecto a  Gaas

5) ga X en 1-x pag

tenso

con respecto a  Gaas

6) al X en 1-x pag

tenso

con respecto a  Gaas

7) al 0.4 Georgia 0.6 pag

tenso  tensamente

con respecto a  Gaas

8) ga 0.4 en 0.6 pag

tenso  compresivamente

con respecto a  Gaas

9) al 0.4 en 0.6 pag

tenso  compresivamente

con respecto a  Gaas


cada capa de material tiene una longitud de 10 nm en la simulación.

las capas de material 4), 5) y 6) varían linealmente su contenido de aleación:


4) al X Georgia 1-x pag  de 10 nm a 20 nm de x = 0.0 a x = 1.0

5) ga X en 1-x pag    de 30 nm a 40 nm de x = 0.0 a x = 1.0

6) al X en 1-x pag  de 50 nm a 60 nm de x = 1.0 a x = 0.0


índice de refracción de algainp


fuente: pam-xiamen


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