2020-03-17
2020-03-09
algainp condujo la separación del chip
oblea led naranja sustrato:
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p + gaas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p-gap
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p-algainp
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
mqw
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
n-algainp
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
dbr n-algaas / alas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
buffer
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
substrato de gaas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
·chip sepcification (base en chips 7mil * 7mil)
parámetro
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
tamaño del chip
7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil)
espesor
7mil (± 1mil)
electrodo p
u / l
\u0026 emsp;
n electrodo
au
\u0026 emsp;
estructura
como derecha-mostrado
· Óptico-elctric caracteres
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
parámetro
condición
min.
típico
max.
unidad
tensión directa
yo F = 10μa
1.35
┄
┄
v
tensión inversa
yo F = 20ma
┄
┄
2.2
v
corriente inversa
v = 10v
┄
┄
2
μm
longitud de onda
yo F = 20ma
565
┄
575
Nuevo Méjico
ancho de media onda
yo F = 20ma
┄
10
┄
Nuevo Méjico
·intensidad de luz caracteres
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
código de brillo
la
lb
lc
ld
le
si
lg
lh
iv (mcd)
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-50
50-60
fuente: semiconductorwafers.net
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