En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
los Desarrollo del mercado de semiconductores de potencia SiC y GaN. El estado actual de la tecnología y el mercado de SiC, y la Tendencia de desarrollo en los próximos años. El mercado de dispositivos de SiC es prometedor. Las ventas de barrera Schottky los diodos han madurado y se espera que los envíos de MOSFET aumenten significativamente durante los próximos tres años. Según los analistas de Y...
Para realizar carburo de silicio de alto rendimiento ( Sic ) dispositivos de potencia, contactos óhmicos de baja resistencia a p-type SiC deben ser desarrollados. Para reducir la resistencia de contacto óhmico, se necesita reducir la altura de la barrera en las interfaces de metal / SiC o aumentar la concentración de dopaje en los sustratos de SiC. Dado que la reducción de la altura de la barrera ...
La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiale...
Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativ...
la densidad y la intensidad de dispersión de la luz del oxígeno precipita en cz silicio los cristales se miden por tomografía de dispersión de la luz. los datos numéricos clarificados a través de las mediciones se discuten en relación con la cantidad de oxígeno precipitado. los resultados obtenidos aquí se corresponden bien con el análisis teórico de que los precipitados de oxígeno hacen que la lu...
este artículo propone un nuevo tridimensional (3d) fotolitografía tecnología para un proceso de micropatrón de alta resolución en un sustrato de fibra. también se presenta una breve reseña sobre la tecnología de litografía de la superficie no plana. La tecnología propuesta comprende principalmente la microfabricación del módulo de exposición 3d y la deposición por pulverización de películas de res...
microestructuras de sub-monocapa tensil a alta tensión en gas se han cultivado mediante epitaxia de haz molecular y se han estudiado mediante microscopía de túnel de barrido de ultra alto vacío. cuatro tasas de cobertura diferentes de ge nanoestructuras en gasb se logran e investigan. se encuentra que el crecimiento de ge en gasb sigue el modo de crecimiento 2d. la red cristalina de la sub-monocap...
inas segmentos se cultivaron en la parte superior de las islas gaas, inicialmente creado por droplet epitaxy en sustrato de silicio. exploramos sistemáticamente el espacio de parámetros de crecimiento para la deposición de inas, identificando las condiciones para el crecimiento selectivo en Gaas y para el crecimiento puramente axial. los segmentos axiales inas se formaron con sus paredes laterales...
el proceso para disminuir la densidad de dislocación en fe-dopado de 3 pulgadas obleas inp es descrito. el proceso de crecimiento de cristales es un czochralsky (lec) encapsulado en líquido convencional, pero se han añadido protectores térmicos para disminuir el gradiente térmico en el cristal en crecimiento. la forma de estos escudos se ha optimizado con la ayuda de simulaciones numéricas de tran...
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