sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
informamos el crecimiento de la epitaxia del haz químico au-asistido de nanoalambres Insble de zincblenda libre de defectos. el adulto insub los segmentos son las secciones superiores de inas / insteroestructuras en inas (111) b substratos. mostramos, a través del análisis de hrtem, que el zincblenda insb se puede cultivar sin defectos cristalinos, tales como fallas de apilamiento o planos gemelos...
una heterounión inas / si formada por un método de unión de oblea húmeda con una temperatura de recocido de 350 ° c fue investigada por microscopía electrónica de transmisión (tem). se observó que inas y si estaban uniformemente unidas sin ningún hueco en un campo de visión de 2 m de longitud en una imagen de campo brillante. una imagen de temperatura de alta resolución reveló que, entreinasy si l...
informamos sobre la generación de microdescargas en dispositivos compuestos de microcristalinadiamante. las descargas se generaron en estructuras de dispositivos con geometrías de descarga de cátodo microhollow. una estructura consistía en una oblea aislante de diamante recubierta con capas de diamante dopado con boro en ambos lados. una segunda estructura consistía en una oblea de diamante aislan...
la condición de crecimiento de delgadamente pesadamente dopada gan capa de cobertura y su efecto sobre la formación de contacto óhmico de p-tipo gan fueron investigados. se confirma que el exceso de dopaje puede mejorar efectivamente el contacto ni / au a p- gan después del recocido a 550 ° c. cuando la relación del índice de flujo entre las fuentes de gas mg y ga es 6.4% y el ancho de la capa es ...
los láseres de diodo directo tienen algunas de las características más atractivas de cualquier láser. son muy eficientes, compactos, de longitud de onda versátiles, de bajo costo y altamente confiables. sin embargo, la utilización completa de los láseres de diodo directo aún no se ha realizado. la mala calidad de diodo láser haz en sí, afectan directamente a sus rangos de aplicación, con el fin de...
un algan micromecanizado / un transistor de alta movilidad de electrones ( hemt ) sobre un sustrato si con capas de disipación de calor de carbono / titanio (dlc / ti) como diamante, se investigó. superior conductividad térmica y coeficiente de expansión térmica similar a la de gan habilitó dlc / ti para disipar de manera eficiente el calor del borde de potencia del gan a través del sustrato si a ...
www.semiconductorwafers.net La tecnología de unión directa de obleas es capaz de integrar dos obleas lisas y, por lo tanto, se puede usar en la fabricación de celdas solares de múltiples funciones iii-v con desajuste de celosía. para interconectar monolíticamente entre las subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, la heterounión gaas / inp unida debe ser una unión óhmica altamente conductora o u...
investigamos los niveles de energía de transición de los defectos de la vacante en el nitruro de galio por medio de un enfoque de la teoría de la función de densidad híbrida (dft). mostramos que, en contraste con las predicciones de un estudio reciente sobre el nivel de dft puramente local, la inclusión de intercambio filtrado estabiliza el estado de carga triplemente positiva de la vacancia de ni...
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