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Creación de haces de iones enfocados y creación de plantillas de nanospikes InAs e InAs / InP

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Creación de haces de iones enfocados y creación de plantillas de nanospikes InAs e InAs / InP

2018-09-21

La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiales en sustratos InP. Estas 'nanospikes' se crean como gotitas, formadas debido a la irradiación FIB, actúan como máscaras de grabado para las InAs subyacentes. Al preajustar los InAs para que influyan en el movimiento de las gotas, las ubicaciones de nanospike en InAs homoepitaxiales se pueden controlar con una precisión limitada. La creación de nanospikes utilizando una heteroestructura InAs / InP proporciona una medida adicional de control sobre dónde se forman los picos porque las nanospikes no se formarán en las regiones expuestas de InP. Este efecto puede explotarse para controlar con precisión la colocación de nanospike mediante el pre-diseño de una heteroestructura InAs / InP para controlar la ubicación de la interfaz InAs / InP. Usando este método de creación de plantillas de heteroestructura, es posible colocar nanospikes con precisión en matrices regulares que pueden ser útiles para una variedad de aplicaciones.


Fuente: IOPscience


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