Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativo es aparentemente baja en el Te-dopado GaSb en comparación con aquellos en GaSb no dopado y fuertemente dopado. El mecanismo para la alta transmitancia IR se analiza al considerar el proceso de absorción óptica implicado en un defecto.

Fuente: IOPscience

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