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Películas epitaxiales de GaSb altamente cristalinas cultivadas en sustratos de GaAs (001) por deposición química de vapor de metal orgánico a baja presión.

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Películas epitaxiales de GaSb altamente cristalinas cultivadas en sustratos de GaAs (001) por deposición química de vapor de metal orgánico a baja presión.

2019-01-17

Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos.


Se demostró que la película delgada de GaSb optimizada tiene un ancho completo estrecho a la mitad máxima (358 arcosegundos) de la curva de oscilación de 00 (004), y una superficie lisa con una rugosidad cuadrada media de raíz baja de aproximadamente 6 nm, lo cual es típico en el caso de las películas de cristal único heteroepitaxial. Además, estudiamos los efectos del espesor de capa de la película delgada de GaSb sobre la densidad de las dislocaciones por espectros de Raman. Se cree que nuestra investigación puede proporcionar información valiosa para la fabricación de Películas de GaSb altamente cristalinas y puede promover la probabilidad de integración de dispositivos de infrarrojo medio fabricados en dispositivos electrónicos de rendimiento general.


fuente: iopscience

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