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magnetorresistencia fotoinducida de gran temperatura a temperatura ambiente en un dispositivo semiaislante a base de arseniuro de galio

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magnetorresistencia fotoinducida de gran temperatura a temperatura ambiente en un dispositivo semiaislante a base de arseniuro de galio

2018-07-30

sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados ​​en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basado en). el dispositivo se somete a la irradiación de luz que es suministrada por perlas de lámpara de diodo emisor de luz con una longitud de onda en un rango de aproximadamente 395 nm a 405 nm y la potencia de trabajo de cada perla de lámpara llevada es de aproximadamente 33 mw.


el mr fotoinducido no muestra saturación debajo de los campos magnéticos (b) hasta 1 ty la sensibilidad mr s (s = mr / b) en el campo magnético bajo (b = 0.001 t) puede alcanzar 15 t-1. se encuentra que la recombinación de electrones y orificios fotoinducidos da como resultado un efecto de mr positivo inducido por foto. este trabajo implica que se puede obtener una alta fotoinducción bajo un campo magnético bajo en un dispositivo semiconductor no magnético con una concentración de portador intrínseca muy baja.


fuente: iopscience


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