los Desarrollo del mercado de semiconductores de potencia SiC y GaN. El estado actual de la tecnología y el mercado de SiC, y la Tendencia de desarrollo en los próximos años. El mercado de dispositivos de SiC es prometedor. Las ventas de barrera Schottky los diodos han madurado y se espera que los envíos de MOSFET aumenten significativamente durante los próximos tres años. Según los analistas de Y...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Para los materiales homogéneos, el método de inmersión ultrasónica, asociado con un proceso de optimización numérico basado principalmente en el algoritmo de Newton, permite la determinación de constantes elásticas para diversos materiales compuestos sintéticos y naturales. Sin embargo, una limitación principal del procedimiento de optimización existente ocurre cuando el material considerado está ...
Las características del láser dependientes de la temperatura de la unión de un diodo láser GaInAsP (LD) de 1.5 a µm crecieron en un enlace directamente Sustrato inP o Sustrato de si se obtuvieron con éxito. Hemos fabricado el En p sustrato o sustrato de Si que utiliza una técnica de unión de oblea hidrófila directa a temperaturas de unión de 350, 400 y 450 ° C, y GaInAsP depositado o Capas de dobl...
Se ha desarrollado un epi-reactor de pared caliente vertical que hace posible lograr simultáneamente una alta tasa de crecimiento y uniformidad de área grande. Se alcanza una tasa de crecimiento máxima de 250 µm / h con una morfología similar a un espejo a 1650 ° C. Bajo una modificada epi-reactor La configuración, una uniformidad de grosor de 1.1% y una uniformidad de dopaje de 6.7% para un área ...
Hemos mejorado la eficiencia de las antenas fotoconductoras (PCA) utilizando GaAs cultivado a baja temperatura (LT-GaAs). Descubrimos que las propiedades físicas de las capas fotoconductoras de LT-GaAs afectan en gran medida las características de generación y detección de ondas de terahercios (THz). En la generación de THz, la alta movilidad de los portadores fotoexcitados y la presencia de unos ...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...
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