Se cultivaron películas homoepitaxiales de 4H-SiC en caras porosas de 4H-SiC (0001) fuera del eje de 8° en el rango de temperatura por   deposición química de vapor a partir del precursor de bis(trimetilsilil)metano (BTMSM). La energía de activación para el crecimiento fue de 5,6 kcal/mol, lo que indica que el crecimiento de la película está dominado por el mecanismo de difusión limitada. Se incorporaron fallas de apilamiento triangular en la película delgada de SiC desarrollada a baja temperatura de 1280°C debido a la formación del politipo 3C-SiC. Además, las dislocaciones de supertornillo aparecieron seriamente en la película de SiC desarrollada por debajo de 1320°C. Se observó una morfología limpia y sin características en la película de SiC cultivada por debajo de 25 centímetros cúbicos estándar por minuto (sccm)  tasa de flujo de gas portador de BTMSM a 1380 ° C, mientras que el politipo 3C-SiC con límites de posicionamiento doble creció a una tasa de flujo de 30 sccm de BTMSM. La densidad de dislocación de la capa epi estuvo fuertemente influenciada por la temperatura de crecimiento y la velocidad de flujo de BTMSM. La difracción de rayos X de cristal de doble eje y el análisis de microscopía óptica revelaron que la densidad de dislocación disminuyó a mayor temperatura de crecimiento y menor caudal de BTMSM. El ancho total a la mitad del máximo de la curva oscilante de la película crecida en condiciones optimizadas fue de 7,6 segundos de arco y las líneas nítidas de excitón libre y de excitón unido al Al aparecen en la capa epi, lo que indica 

Fuente:IOPscience

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